ОПРЕДЕЛЕНИЕ АМПЛИТУДЫ РЕЗОНАНСНЫХ ЧАСТОТ ДАТЧИКА ТЕМПЕРАТУРЫ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СИНУСОИДАЛЬНОЙ ВИБРАЦИИ

Актуальность и цели. Электроника, информационные технологии, управление, приборная автоматика, средства обработки и хранения информации, телекоммуникации стали технической базой высоких технологий. Вооруженность этими средствами, полнота их использования определяют облик современного общества. Отдельно в этом ряду стоят системы управления аэрокосмическими объектами, где к общим проблемам развития электроники добавляются увеличенная плотность компоновки в сочетании с большим быстродействием и увеличенной функциональностью, повышенная надежность в условиях экстремальных внешних воздействий. Эти дополнительные требования обусловили индивидуальные черты развития производства электроники и в основополагающей его составной части – датчиковой аппаратуры. Материалы и методы. В качестве метода исследования использовалось имитационное моделирование, при котором изучаемый датчик заменяется его моделью, с которой проводятся эксперименты с целью получения информации об этом объекте. В эксперименте применялось специализированное программное обеспечение Solidworks, позволяющее избежать дорогостоящих и длительных циклов испытаний. Результаты. В результате моделирования были получены эпюры полей распределения температур при критических температурах с целью исследования влияния данных условий на входящие в состав исследуемого объекта детали.