A Program for Calculating the Projective Range and Straggling of Ions in a Solidusing the Approximation of V.V. Yudin

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Ion implantation is the basis of many technological processes in electronics and microelectronics. The main quantities characterizing the penetration of ions into a solid are as follows; the length of the path of the ion until it stops completely, the average value of the projection of the total path on the direction of motion R̅p, and the average normal deviation of the projection of the path ΔR̅p. To calculate these values, computer programs SRIM, TRIM, and DYNE have been created, which require installation on a personal computer and occupy a large amount of hard disk space, which is not always justified in engineering practice. This paper describes an algorithm for a simple, installation-free program for calculating R̅p and ΔR̅p. The program algorithm is based on the Lindhard-Scharff-Schiott theory.

Sobre autores

Sharifa Utamuradova

Institute of Semiconductor Physics and Microelectronics at the National University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek

Email: director@ispm.uz
Dr. Sci. (Phys.-Math.), Professor; Director Tashkent, Republic of Uzbekistan

Ramizulla Muminov

Physical-Technical Institute of the Scientific-Production Association “Physics-Sun” of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan

Email: detector@uzsci.net
Dr. Sci. (Phys.-Math.), Academician of the Academy Sciences of the Republic of Uzbekistan; Head of laboratory Tashkent, Republic of Uzbekistan

Valery Dyskin

Institute of Material Science of the Scientific-Production Association “Physics-Sun” of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan

Email: dyskin@uzsci.net
Dr. Sci. (Philos.); senior researcher Tashkent, Republic of Uzbekistan

Oskar Tukfatullin

Institute of Semiconductor Physics and Microelectronics at the National University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek

Email: oskar.tukfatullin@gmail.com
Dr. Sci. (Philos.); Head of laboratory Tashkent, Republic of Uzbekistan

Bibliografia

  1. Townsend P.D., Chandler P.J., Zhang L. Optical effects of ion implantation. Cambridge University Press, 1994. 293 p.
  2. Mayer J.W., Eriksson L., Davies J.A. Ion Implantation of Semiconductors. New York: Academic Press, 1970. 290 p.
  3. Ryssel H., Ruge I. Ion implantation. Chichester: Wiley, 1986. 478 p.
  4. Ivanovsky G.F., Petrov V.I. Ion-plasma processing of materials. Moscow: Radio i Svyaz. 1986. 231 p.
  5. Kozlov V.A., Kozlovski V.V. Doping of semiconductors using radiation defects produced by irradiation with protons and alpha particles. Semiconductors. 2001. Vol. 35. No. 7. Pp. 735-761. (In Rus.)
  6. Stepanov A.L. Optical properties of metal nanoparticles synthesized in a polymer by ion implantation: A review. Technical Physics. 2004. Vol. 49. No. 2. P. 143. (In Rus.)
  7. Stepanov A.L., Trifonov А.А., Osin Y.N. et al. New technology of porous silicon formation by metal ion implantation. Modern High Technologies. 2013. No. 11. Pp. 119-123. (In Rus.)
  8. Interactions of ions with matter. SRIM (The Stopping and Range of Ions in Matter) [Software]: Download SRIM-2013/Resource author and software developer J.F. Ziegler. [Electronic resource]. URL: http://www.srim.org/SRIM/SRIMLEGL.htm (data of accesses: 30.03.2022).
  9. Gibbons J.F. Ion implantation in semiconductors. Part I: Range distribution theory and experiments. Proceedings of the IEEE. 1968. Vol. 56. No. 3. Pp. 295-319. (In Rus.)
  10. Lindhard J., Scharff M., Schiott H.E. Range concepts and heavy ion ranges // Matematisk-fysiske Meddelelser udgivet af Det Kongelige Danske Videnskabernes Selskab. 1963. Vol. 33. No. 14. Pp. 1-43. (In English)
  11. Yudin V.V. Analytical calculation of ranges using the approximate energy dependence of nuclear braking. Reports of the Academy of Sciences of the USSR. 1972. Vol. 207. No. 2. Pp. 325-326. (In Rus.)
  12. Examples for calculus & analysis. Knowledge base and set of computational algorithms [Electronic resource]. URL: http://www.wolframalpha.com/examples/mathematics/calculus-and-analysis (data of accesses: 30.03.2022).
  13. Forsythe G.E., Malcolm M.A., Moler C.B. Computer methods for mathematical computations. Englewood Cliffs, 1977. 259 p.
  14. Sheikin E.G. Ranges of low-energy heavy ions in beryllium, boron, carbon and silicon. Technical Physics. 1998. Vol. 68. No. 9. Pp. 33-36. (In Rus.)
  15. Kuzmin V. Range parameters of slow gold ions implanted into light targets // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2009. Vol. 267. No. 16. Pp. 2657-2661.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar


Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».