Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers
- Авторы: Abramova E.N.1, Khort A.M.1, Yakovenko A.G.1, Sorokin T.A.1, Shvets V.I.1
-
Учреждения:
- Institute of Fine Chemical Technologies
- Выпуск: Том 474, № 1 (2017)
- Страницы: 113-115
- Раздел: Chemistry
- URL: https://journal-vniispk.ru/0012-5008/article/view/153984
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0012500817050044
- ID: 153984
Цитировать
Аннотация
The effect of thermal annealing of porous silicon layers in various media with subsequent exposure to air on the photoluminescence spectra of the layers was described.
Об авторах
E. Abramova
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
A. Khort
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
A. Yakovenko
Institute of Fine Chemical Technologies
Автор, ответственный за переписку.
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
T. Sorokin
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
V. Shvets
Institute of Fine Chemical Technologies
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571
Дополнительные файлы
