Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The effect of thermal annealing of porous silicon layers in various media with subsequent exposure to air on the photoluminescence spectra of the layers was described.

Авторлар туралы

E. Abramova

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571

A. Khort

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571

A. Yakovenko

Institute of Fine Chemical Technologies

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571

T. Sorokin

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571

V. Shvets

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Ресей, Moscow, 119571

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017