Measurement of Photoelectrophysical Characteristics of Conductive Layers of CsPbBr3 Colloidal Quantum Dots

D. N. Pevtsov; Певцов Д. Н.; G. A. Lochin; Лочин Г. А.; A. V. Katsaba; Кацаба А. В.; S. B. Brichkin; Бричкин С. Б.

doi:10.31857/S0023119323030117

Измерение фотоэлектрофизических характеристик проводящих слоев ККТ CSPBBR₃

Авторы: Певцов Д.Н.¹^,2, Лочин Г.А.¹^,2, Кацаба А.В.²^,3, Бричкин С.Б.¹
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
2. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
3. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Выпуск: Том 57, № 3 (2023)
Страницы: 186-190
Раздел: ФОТОНИКА
URL: https://journal-vniispk.ru/0023-1193/article/view/139976
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323030117
EDN: https://elibrary.ru/KDYBIW
ID: 139976

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Синтезированы коллоидные квантовые точки перовскитов химического состава CsPbBr₃. Для этих частиц методом стационарной спектрофлуориметрии определены средний размер ансамбля частиц и полидисперсность образца. Из полученных частиц изготовлены проводящие слои и измерены их электрофизические характеристики. Установлен дырочный характер проводимости, измерены проводимость слоя (0.04 См/м), подвижность (0.8 см²/(В × с)) и концентрация свободных носителей заряда (3.01 × 10²¹ м^–3). В соответствии с литературными данными, полученное значение подвижности выше типичных получаемых значений на 1–2 порядка. Показано, что высокая полидисперсность имеет слабое влияние на электрофизические и транспортные характеристики в полученных слоях.

Ключевые слова

коллоидные квантовые точки, неорганические перовскиты, полевой транзистор, подвижность носителей заряда

Об авторах

Д. Н. Певцов

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр
проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”

Email: pevtsov.dn@phystech.edu
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, проспект ак. Семенова, 1; Россия, 141701, Московская обл., Долгопрудный, Институтский пер., д. 9

Г. А. Лочин

А. В. Кацаба

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева
Российской академии наук

Email: pevtsov.dn@phystech.edu
Россия, 141701, Московская обл., Долгопрудный, Институтский пер., д. 9; Россия, 119991, Москва, Ленинский проспект, д. 53

С. Б. Бричкин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр
проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: pevtsov.dn@phystech.edu
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка, проспект ак. Семенова, 1

Список литературы

Deschler F., Price M., Pathak S., Klintberg L.E., Jarasch D.-D., Higler R., Hüttner S., Leijtens T., Stranks S.D., Snaith H.J., Atatüre M., Phillips R.T., Friend R.H. // J. Phys. Chem. Lett. 2014. V. 5. P. 1421.
Чикалова–Лузина О.П., Вяткин В.М., Щербаков И.П., Алешин А.Н. // Физика твердого тела. 2020. Т. 62. Вып. 8. С. 1333–1338.
Ahmad S., Kanaujia P.K., Beeson H.J., Abate A., Deschler F., Credgington D., Steiner U., Prakash G.V., Baumberg J.J. // ACS Appl Mater. Interfaces. 2015. № 7. P. 25227.
Ye J., Byranvand M.M., Martínez C.O., Hoye R.L., Saliba M., Polavarapu L. // Angewandte Chemie. № 133(40). P. 21804–21828.
Zhang C., Wang S., Li X., Yuan M., Turyanska L., Yang X. // Advanced Functional Materials. № 30(31). P. 1910582.
Kim J., Hu L., Chen H., Guan X., Anandan P.R., Li F., Wu T. // ACS Materials Letters. № 2(11). P. 1368-1374.
Zhou S., Zhou G., Li Y., Xu X., Hsu Y. J., Xu J., Lu X. // ACS Energy Letters. № 5(8). P. 2614-2623.
Иванчихина А.В., Пундиков К.С. // Химия высоких энергий. Т. 54. № 5. С. 361–369.
Gilmore R.H., Lee E.M., Weidman M.C., Willard A.P., Tisdale W.A. // Nano letters. № 17(2). P. 893–901.
Chang Lu, Marcus W. Wright, Xiao Ma et al. // Chemistry of Materials. 2019. V. 31 № 1. P. 62–67.
Jorick Maes, Lieve Balcaen, Emile Drijvers et al. // J. Phys. Chemi. Let. 2018. V. 9. № 11. P. 3093–3097.
Tovstun S.A., Gadomska A.V., Spirin M.G., Razumov V.F. // J. Luminescence. 2022. V. 252. P. 119420.
Mandal A., Ghosh A., Senanayak S.P., Friend R.H., Bhattacharyya S. // J. Phys. Chem. Let. 2021. V. 12(5).
Aleshin A.N., Shcherbakov I.P., Kirilenko D.A. et al. // Phys. Solid State. 2019. V. 61. P. 256–262.