Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 52, № 12 (2018) Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates PDF
(Eng)
Alekseev P., Dunaevskiy M., Mikhailov A., Lebedev S., Lebedev A., Ilkiv I., Khrebtov A., Bouravleuv A., Cirlin G.
Том 52, № 10 (2018) Simulation of Electron and Hole States in Si Nanocrystals in a SiO2 Matrix: Choice of Parameters of the Empirical Tight-Binding Method PDF
(Eng)
Belolipetskiy A., Nestoklon M., Yassievich I.
Том 52, № 9 (2018) Effect of Conditions of Electrochemical Etching on the Morphological, Structural, and Optical Properties of Porous Gallium Arsenide PDF
(Eng)
Seredin P., Lenshin A., Fedyukin A., Goloshchapov D., Lukin A., Arsentyev I., Zhabotinsky A.
Том 52, № 9 (2018) Electrical Properties and Energy Parameters of n-FeS2/p-Cd1 –xZnxTe Heterojunctions PDF
(Eng)
Orletskyi I., Ilashchuk M., Solovan M., Maryanchuk P., Parfenyuk O., Maistruk E., Nichyi S.
Том 52, № 9 (2018) On the Formation of IR-Light-Emitting Ge Nanocrystals in Ge:SiO2 Films PDF
(Eng)
Volodin V., Rui Z., Krivyakin G., Antonenko A., Stoffel M., Rinnert H., Vergnat M.
Том 52, № 9 (2018) Effect of Injection Depletion in p-Si–n-(Si2)1 –x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) Heterostructure PDF
(Eng)
Saidov A., Leyderman A., Usmonov S., Amonov K.
Том 52, № 9 (2018) Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si PDF
(Eng)
Teplyakov M., Ken O., Goryachev D., Sreseli O.
Том 52, № 8 (2018) Magnetic Properties of Vacancies and Doped Chromium in a ZnO Crystal PDF
(Eng)
Jafarova V., Orudzhev G., Huseynova S., Stempitsky V., Baranava M.
Том 52, № 8 (2018) Dynamics of Changes in the Photoluminescence of Porous Silicon after Gamma Irradiation PDF
(Eng)
Elistratova M., Poloskin D., Goryachev D., Zakharova I., Sreseli O.
Том 52, № 8 (2018) On the Application of Silicate Glasses with CdSxSe1–x Semiconductor Nanocrystals as Optical Thermometers and Optical Filters with a Controlled Absorption Edge PDF
(Eng)
Petrosyan P., Grigoryan L., Musaelyan G.
Том 52, № 8 (2018) Degradation of the Photoluminescence of ZnTPP and ZnTPP–C60 Thin Films under Gamma Irradiation PDF
(Eng)
Romanov N., Elistratova M., Lahderanta E., Zakharova I.
Том 52, № 7 (2018) Photoelectric Properties of ZnO Threadlike Crystals PDF
(Eng)
Shkumbatjuk P.
Том 52, № 7 (2018) Dielectric Properties of Nanocrystalline Tungsten Oxide in the Temperature Range of 223–293 K PDF
(Eng)
Kozyukhin S., Bedin S., Rudakovskaya P., Ivanova O., Ivanov V.
Том 52, № 7 (2018) Study of Current Flow Mechanisms in a CdS/por-Si/p-Si Heterostructure PDF
(Eng)
Tregulov V., Litvinov V., Ermachikhin A.
Том 52, № 7 (2018) Photoluminescence Properties of ZnO Nanorods Synthesized by Different Methods PDF
(Eng)
Kurbanov S., Urolov S., Shaymardanov Z., Cho H., Kang T.
Том 52, № 7 (2018) Modification of Photoconductivity Spectra in ZnO–CdSe Quantum- Dot Composites upon Exposure to Additional Photoexcitation PDF
(Eng)
Drozdov K., Krylov I., Chizhov A., Rumyantseva M., Ryabova L., Khokhlov D.
Том 52, № 6 (2018) Properties of Lead-Sulfide Nanoparticles in a Multicrystalline Structure PDF
(Eng)
Zhukov N., Rokakh A., Shishkin M.
Том 52, № 3 (2018) Specific Features of the Optical Characteristics of Porous Silicon and Their Modification by Chemical Treatment of the Surface PDF
(Eng)
Lenshin A.
Том 52, № 3 (2018) Effect of Low γ-Radiation Doses on the Optical Properties of Porous Silicon PDF
(Eng)
Bilenko D., Belobrovaya O., Terin D., Galushka V., Galushka I., Zharkova E., Polyanskaya V., Sidorov V., Yagudin I.
Том 52, № 2 (2018) Microstructure and Raman Scattering of Cu2ZnSnSe4 Thin Films Deposited onto Flexible Metal Substrates PDF
(Eng)
Stanchik A., Gremenok V., Bashkirov S., Tivanov M., Juškénas R., Novikov G., Giraitis R., Saad A.
Том 52, № 2 (2018) Change in the Character of Biaxial Stresses with an Increase in x from 0 to 0.7 in AlxGa1 – xN:Si Layers Obtained by Ammonia Molecular Beam Epitaxy PDF
(Eng)
Ratnikov V., Sheglov M., Ber B., Kazantsev D., Osinnykh I., Malin T., Zhuravlev K.
Том 52, № 1 (2018) Determination of Thermodynamic Parameters in the Cu1.95Ni0.05S Phase-Transition Regions PDF
(Eng)
Aliev F., Hasanov H., Rzaeva A., Jafarov M., Damirov G.
Том 52, № 1 (2018) Peculiarities of the Properties of III–V Semiconductors in a Multigrain Structure PDF
(Eng)
Zhukov N., Kabanov V., Mihaylov A., Mosiyash D., Pereverzev Y., Hazanov A., Shishkin M.
Том 52, № 1 (2018) X-Ray Study of the Superstructure in Heavily Doped Porous Indium Phosphide PDF
(Eng)
Boiko M., Sharkov M., Karlina L., Boiko A., Konnikov S.
Том 51, № 10 (2017) X-ray photoelectron spectroscopy studies of ZnSxSe1–x nanostructures produced in a porous aluminum-oxide matrix PDF
(Eng)
Chukavin A., Valeev R., Beltiukov A.
26 - 50 из 75 результатов << < 1 2 3 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».