Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 53, № 15 (2019)
Influence of Holes Capture Efficiency on Photoluminescence Temperature Dependence of n-AlGaAs/GaAs Quantum-Well Structures
Yaremenko N., Strakhov V., Karachevtseva M.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
On the Combined Application of Raman Spectroscopy and Photoluminescence Spectroscopy for the Diagnostics of Multilayer Heterostructures
Plankina S., Vikhrova O., Zvonkov B., Zubkov S., Kriukov R., Nezhdanov A., Pavlov D., Pashen’kin I., Sushkov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Photoluminescence and Transmission Electron Microscopy Methods for Characterization of Super-Multiperiod A3B5 Quantum Well Structures
Goray L., Pirogov E., Nikitina E., Ubyivovk E., Gerchikov L., Ipatov A., Dashkov A., Sobolev M., Ilkiv I., Bouravlev A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures
Kozlov D., Rumyantsev V., Morozov S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Time-Resolved Photoluminescence of InGaAs Nanostructures Different in Quantum Dimensionality
Nadtochiy A., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M., Sannikov D., Yagafarov T., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Emelyanov E., Preobrazhenskii V., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions
Cherkova S., Skuratov V., Volodin V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
On the Synthesis and Photoluminescence and Cathodoluminescence Properties of CdSe, CdTe, PbS, InSb, and GaAs Colloidal Quantum Dots
Zhukov N., Kryl’skiy D., Shishkin M., Khazanov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers
Andreev B., Lobanov D., Krasil’nikova L., Bushuykin P., Yablonskiy A., Novikov A., Davydov V., Yunin P., Kalinnikov M., Skorohodov E., Krasil’nik Z.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates
Galiev G., Klimov E., Grekhov M., Pushkarev S., Lavrukhin D., Maltsev P.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics
Yurasov D., Baidakova N., Verbus V., Gusev N., Mashin A., Morozova E., Nezhdanov A., Novikov A., Skorohodov E., Shengurov D., Yablonskiy A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures
Aleksandrov I., Zhuravlev K., Mansurov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Kinetics of Photoluminescence Decay of Colloidal Quantum Dots: Reversible Trapping of Photogenerated Charge Carriers
Bodunov E., Simões Gamboa A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers
Prokhorov D., Shengurov V., Denisov S., Filatov D., Zdoroveishev A., Chalkov V., Zaitsev A., Ved’ M., Dorokhin M., Baidakova N.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Photoluminescence properties of thallium-containing GeSe2 and GeSe3 vitreous semiconductors
Babaev A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Optical Properties of Short-Period InAs/GaSb Superlattices Grown by MOCVD
Danilov L., Levin R., Nevedomskyi V., Pushnyi B.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate
Sushkov A., Pavlov D., Shengurov V., Denisov S., Chalkov V., Baidus N., Rykov A., Kryukov R.
PDF
(Eng)
1 - 17 из 17 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).