Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 50, № 2 (2016)
Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates
Galiev G., Klimov E., Grekhov M., Pushkarev S., Lavrukhin D., Maltsev P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Study of the surface of GaAs after etching in high-frequency and glow discharge plasma by atomic force microscopy
Dunaev A., Murin D., Pivovarenok S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate
Aleshkin V., Dubinov A., Kudryavtsev K., Yunin P., Drozdov M., Vikhrova O., Nekorkin S., Zvonkov B.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Effect of Conditions of Electrochemical Etching on the Morphological, Structural, and Optical Properties of Porous Gallium Arsenide
Seredin P., Lenshin A., Fedyukin A., Goloshchapov D., Lukin A., Arsentyev I., Zhabotinsky A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
Vasil’evskii I., Pushkarev S., Grekhov M., Vinichenko A., Lavrukhin D., Kolentsova O.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Widening the Length Distributions in Irregular Arrays of Self-Catalyzed III–V Nanowires
Berdnikov Y., Sibirev N., Koryakin A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown by MOCVD
Aleshkin V., Baidus N., Dubinov A., Kudryavtsev K., Nekorkin S., Kruglov A., Reunov D.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Electric-Field Behavior of the Resonance Features of the Tunneling Photocurrent Component in InAs(QD)/GaAs Heterostructures
Orlov M., Volkova N., Ivina N., Orlov L.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates
Mintairov S., Emelyanov V., Rybalchenko D., Salii R., Timoshina N., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
J–V Characteristic of p–n Structure Formed on n-GaAs Surface by Ar+ Ion Beam
Mikoushkin V., Kalinovskii V., Kontrosh E., Makarevskaya E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Module of Laser-Radiation (λ = 1064 nm) Photovoltaic Converters
Khvostikov V., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Potapovich N., Sorokina S., Shvarts M.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Formation and reconstruction of Se nanoislands at the surface of thin epitaxial ZnSe layers grown on GaAs substrates
Kozlovskiy V., Krivobok V., Kuznetsov P., Nikolaev S., Onistchenko E., Pruchkina A., Temiryazev A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: Transition from Coulomb blockade to weak localization regime
Bagraev N., Chaikina E., Danilovskii E., Gets D., Klyachkin L., L’vova T., Malyarenko A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates
Khabibullin R., Yachmenev A., Lavrukhin D., Ponomarev D., Bugayev A., Maltsev P.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Arsenic Diffusion in the Natural Oxidation of the Heavily Defected GaAs Surface
Mikoushkin V., Solonitsyna A., Makarevskaya E., Novikov D.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers
Sokolova Z., Bakhvalov K., Lyutetskiy A., Pikhtin N., Tarasov I., Asryan L.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Relaxation oscillations of superluminescence in a semiconductor caused by recovery of the Fermi distribution of nonequilibrium electrons
Kumekov S., Mustafin A., Mussatay S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Halogen adsorption at an As-stabilized β2–GaAs (001)–(2 × 4) surface
Bakulin A., Kulkova S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
GaAs-Based Laser Diode with InGaAs Waveguide Quantum Wells
Dikareva N., Zvonkov B., Samartsev I., Nekorkin S., Baidus N., Dubinov A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates
Alekseev P., Dunaevskiy M., Mikhailov A., Lebedev S., Lebedev A., Ilkiv I., Khrebtov A., Bouravleuv A., Cirlin G.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range
Zhukov A., Cirlin G., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Kaliteevski M., Ivanov K., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Alferov Z.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides
Borisenko S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
On the Phase Composition, Morphology, and Optical and Electronic Characteristics of AlN Nanofilms Grown on Misoriented GaAs(100) Substrates
Seredin P., Fedyukin A., Terekhov V., Barkov K., Arsentyev I., Bondarev A., Fomin E., Pikhtin N.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates
Samartsev I., Nekorkin S., Zvonkov B., Aleshkin V., Dubinov A., Pashenkin I., Dikareva N., Chigineva A.
PDF
(Eng)
1 - 25 из 38 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».