Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019

Выпуск Название Файл
Том 53, № 9 (2019) Simulation of the Formation of a Cascade of Displacements and Transient Ionization Processes in Silicon Semiconductor Structures under Neutron Exposure PDF
(Eng)
Zabavichev I., Potehin A., Puzanov A., Obolenskiy S., Kozlov V.
Том 53, № 9 (2019) Hyperfine Interaction and Shockley–Read–Hall Recombination in Semiconductors PDF
(Eng)
Ivchenko E., Kalevich V., Kunold A., Balocchi A., Marie X., Amand T.
Том 53, № 9 (2019) Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation PDF
(Eng)
Zhukavin R., Pavlov S., Pohl A., Abrosimov N., Riemann H., Redlich B., Hübers H., Shastin V.
Том 53, № 9 (2019) Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion PDF
(Eng)
Klimov A., Akimov A., Akhundov I., Golyashov V., Gorshkov D., Ishchenko D., Sidorov G., Suprun S., Tarasov A., Epov V., Tereshchenko O.
Том 53, № 9 (2019) Nonradiative Energy Transfer in Hybrid Nanostructures with Varied Dimensionality PDF
(Eng)
Khrebtov A., Reznik R., Ubyivovk E., Litvin A., Skurlov I., Parfenov P., Kulagina A., Danilov V., Cirlin G.
Том 53, № 9 (2019) On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates PDF
(Eng)
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
Том 53, № 9 (2019) Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers PDF
(Eng)
Prokhorov D., Shengurov V., Denisov S., Filatov D., Zdoroveishev A., Chalkov V., Zaitsev A., Ved’ M., Dorokhin M., Baidakova N.
Том 53, № 9 (2019) Comparison of the Features of Electron Transport and Subterahertz Generation in Diodes Based on 6-, 18-, 70-, and 120-Period GaAs/AlAs Superlattices PDF
(Eng)
Obolenskaya E., Ivanov A., Pavelyev D., Kozlov V., Vasilev A.
Том 53, № 9 (2019) Evolution of the Impurity Photoconductivity in CdHgTe Epitaxial Films with Temperature PDF
(Eng)
Uaman Svetikova T., Ikonnikov A., Rumyantsev V., Kozlov D., Chernichkin V., Galeeva A., Varavin V., Mikhailov N., Dvoretskii S., Morozov S., Gavrilenko V.
Том 53, № 9 (2019) Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures PDF
(Eng)
Kozlov D., Rumyantsev V., Morozov S.
Том 53, № 9 (2019) Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes PDF
(Eng)
Ikonnikov A., Chernichkin V., Dudin V., Akopian D., Akimov A., Klimov A., Tereshchenko O., Ryabova L., Khokhlov D.
Том 53, № 9 (2019) Plasma-Chemical Deposition of Diamond-Like Films onto the Surface of Heavily Doped Single-Crystal Diamond PDF
(Eng)
Korolyov S., Kraev S., Arkhipova E., Skorokhodov E., Bushuykin P., Shashkin V., Okhapkin A., Yunin P., Drozdov M.
Том 53, № 9 (2019) On the Combined Application of Raman Spectroscopy and Photoluminescence Spectroscopy for the Diagnostics of Multilayer Heterostructures PDF
(Eng)
Plankina S., Vikhrova O., Zvonkov B., Zubkov S., Kriukov R., Nezhdanov A., Pavlov D., Pashen’kin I., Sushkov A.
Том 53, № 9 (2019) On the Amplification of Terahertz Radiation by High-Q Resonant Plasmons in a Periodic Graphene Bilayer under Plasmon-Mode Anticrossing PDF
(Eng)
Polischuk O., Fateev D., Popov V.
Том 53, № 9 (2019) Second-Harmonic Generation of Subterahertz Gyrotron Radiation by Frequency Doubling in InP:Fe and Its Application for Magnetospectroscopy of Semiconductor Structures PDF
(Eng)
Rumyantsev V., Maremyanin K., Fokin A., Dubinov A., Utochkin V., Glyavin M., Mikhailov N., Dvoretskii S., Morozov S., Gavrilenko V.
Том 53, № 9 (2019) Computational and Experimental Simulation of Static Memory Cells of Submicron Microcircuits under the Effect of Neutron Fluxes PDF
(Eng)
Puzanov A., Venediktov M., Obolenskiy S., Kozlov V.
Том 53, № 9 (2019) GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates PDF
(Eng)
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Emelyanov E., Preobrazhenskii V., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
Том 53, № 9 (2019) On the Spin States of Electrons in a Double Quantum Dot in a Two-Dimensional Topological Insulator with Spin-Orbit Interaction PDF
(Eng)
Sukhanov A., Sablikov V.
26 - 43 из 43 результатов << < 1 2 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».