Physics of Semiconductor Devices

Выпуск Название Файл
Том 52, № 6 (2018) Model for Charge Accumulation in n- and p-MOS Transistors during Tunneling Electron Injection from a Gate PDF
(Eng)
Aleksandrov O., Mokrushina S.
Том 52, № 3 (2018) Optimal Doping of Diode Current Interrupters PDF
(Eng)
Kyuregyan A.
Том 52, № 3 (2018) Schottky-Barrier Model Nonlinear in Surface-State Concentration and Calculation of the I–V Characteristics of Diodes Based on SiC and Its Solid Solutions in the Composite Charge-Transport Model PDF
(Eng)
Altukhov V., Sankin A., Sigov A., Sysoev D., Yanukyan E., Filippova S.
Том 52, № 3 (2018) Field-Effect Transistor Based on the Proton Conductivity of Graphene Oxide and Nafion Films PDF
(Eng)
Smirnov V., Mokrushin A., Denisov N., Dobrovolskii Y.
Том 52, № 3 (2018) Mechanism and Behavior of the Light Flux Decrease in Light-Emitting Diodes Based on AlGaN/InGaN/GaN Structures with Quantum Wells upon Prolonged Direct-Current Flow of Various Densities PDF
(Eng)
Manyakhin F.
Том 52, № 3 (2018) Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE PDF
(Eng)
Khvostikov V., Sorokina S., Potapovich N., Khvostikova O., Timoshina N., Shvarts M.
Том 52, № 3 (2018) Influence of Heat Dissipation Conditions on the Characteristics of Concentrator Photoelectric Modules PDF
(Eng)
Andreeva A., Davidyuk N., Malevskiy D., Panchak A., Sadchikov N., Chekalin A.
Том 52, № 2 (2018) Physical Principles of Self-Consistent Simulation of the Generation of Interface States and the Transport of Hot Charge Carriers in Field-Effect Transistors Based on Metal–Oxide–Semiconductor Structures PDF
(Eng)
Tyaginov S., Makarov A., Jech M., Vexler M., Franco J., Kaczer B., Grasser T.
Том 52, № 2 (2018) Suppression of Recombination in the Waveguide of a Laser Heterostructure by Means of Double Asymmetric Barriers PDF
(Eng)
Zubov F., Maximov M., Gordeev N., Polubavkina Y., Zhukov A.
Том 52, № 2 (2018) Graphite/p-SiC Schottky Diodes Prepared by Transferring Drawn Graphite Films onto SiC PDF
(Eng)
Solovan M., Andrushchak G., Mostovyi A., Kovaliuk T., Brus V., Maryanchuk P.
Том 52, № 1 (2018) Two-Terminal Tandem Solar Cells DSC/c-Si: Optimization of TiO2-based Photoelectrode Parameters PDF
(Eng)
Nikolskaia A., Vildanova M., Kozlov S., Shevaleevskiy O.
Том 52, № 1 (2018) Emission-Line Width and α-Factor of 850-nm Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaAs/AlGaAs Quantum Wells PDF
(Eng)
Blokhin S., Bobrov M., Blokhin A., Kuzmenkov A., Vasil’ev A., Zadiranov Y., Evropeytsev E., Sakharov A., Ledentsov N., Karachinsky L., Ospennikov A., Maleev N., Ustinov V.
Том 52, № 1 (2018) On the Spatial Localization of Free Electrons in 4H-SiC MOSFETS with an n Channel PDF
(Eng)
Ivanov P.
Том 51, № 12 (2017) Electrical properties and the determination of interface state density from I–V, C–f and G–f measurements in Ir/Ru/n-InGaN Schottky barrier diode PDF
(Eng)
Padma R., Rajagopal Reddy V.
Том 51, № 12 (2017) Performance characteristics of p-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts PDF
(Eng)
Liaw Y., Liao W., Wang M., Chen C., Li D., Gu H., Zou X.
Том 51, № 12 (2017) Single electron transistor: Energy-level broadening effect and thermionic contribution PDF
(Eng)
Nasri A., Boubaker A., Khaldi W., Hafsi B., Kalboussi A.
Том 51, № 10 (2017) Degradation of the parameters of transistor temperature sensors under the effect of ionizing radiation PDF
(Eng)
Vikulin I., Gorbachev V., Kurmashev S.
Том 51, № 10 (2017) Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well PDF
(Eng)
Dikareva N., Zvonkov B., Vikhrova O., Nekorkin S., Aleshkin V., Dubinov A.
Том 51, № 9 (2017) Transient switch-off of a 4H-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode PDF
(Eng)
Yuferev V., Levinshtein M., Ivanov P., Zhang J., Palmour J.
Том 51, № 9 (2017) Electric-field sensor based on a double quantum dot in a microcavity PDF
(Eng)
Tsukanov A., Chekmachev V.
Том 51, № 9 (2017) High-power nano- and picosecond optoelectronic switches based on high-voltage silicon structures with p–n junctions: I. Physics of the switching process PDF
(Eng)
Kyuregyan A.
Том 51, № 9 (2017) High-power nano- and picosecond optoelectronic switches based on high-voltage silicon structures with p–n junctions: II. Energy efficiency PDF
(Eng)
Kyuregyan A.
Том 51, № 9 (2017) Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on InxGa1 – xAs (x > 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation PDF
(Eng)
Ponomarev D., Khabibullin R., Yachmenev A., Pavlov A., Slapovskiy D., Glinskiy I., Lavrukhin D., Ruban O., Maltsev P.
Том 51, № 9 (2017) Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes PDF
(Eng)
Royz M., Baranov A., Imenkov A., Burenina D., Pivovarova A., Monakhov A., Grebenshchikova E., Yakovlev Y.
Том 51, № 9 (2017) High-voltage MIS-gated GaN transistors PDF
(Eng)
Erofeev E., Fedin I., Fedina V., Stepanenko M., Yuryeva A.
76 - 100 из 198 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».