Автор туралы ақпарат
Rzheutski, M. V.
| Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
| Том 52, № 16 (2018) | 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY | MBE AlGaN/GaN HEMT Heterostructures with Optimized AlN Buffer on Al2O3 |