Informaçao sobre o Autor
Ved’, M. V.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 53, Nº 9 (2019) | Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 | Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers |