Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Menu
Arquivos
Página principal
Sobre a Revista
Equipe Editorial
Política Editorial
Diretrizes para Autores
Sobre a Revista
Edições
Pesquisa
Edição corrente
Artigos retraídos
Arquivos
Contatos
Todas as revistas
Materiais de referência
Instruções para usar a plataforma
Instruções para assinar um contrato para periódicos RAS
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Notificações
Ver
Assinar
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Por autor
por título
por Seção
Outras Revistas
Assinatura
Entrar no sistema para verificar sua assinatura
Palavras-chave
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
×
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Notificações
Ver
Assinar
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Por autor
por título
por Seção
Outras Revistas
Assinatura
Entrar no sistema para verificar sua assinatura
Palavras-chave
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Página principal
>
Pesquisa
>
Informaçao sobre o Autor
Informaçao sobre o Autor
Lunin, R. A.
Edição
Seção
Título
Arquivo
Volume 50, Nº 7 (2016)
Electronic Properties of Semiconductors
Effect of thallium doping on the mobility of electrons in Bi
2
Se
3
and holes in Sb
2
Te
3
TOP
