Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The capabilities of GaAs epitaxial layers extremely heavily doped with tellurium by metal-organic vapor-phase epitaxy using diisopropyl telluride as a source are studied. It is shown that tellurium incorporation into GaAs occurs to an atomic concentration of 1021 cm–3 without appreciable diffusion and segregation effects. Good carrier concentrations (2 × 1019 cm–3) and specific contact resistances of non-alloyed ohmic contacts (1.7 × 10–6 Ω cm2) give grounds to use such layers to create non-alloyed ohmic contacts in electronic devices. A sharp decrease in the electrical activity of Te atoms, a decrease in the electron mobility, and an increase in the contact resistance at atomic concentrations above 2 × 1020 cm–3 are detected.

Об авторах

V. Daniltsev

Institute for Physics of Microstructures

Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950

E. Demidov

Institute for Physics of Microstructures

Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950

M. Drozdov

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950; pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950

Yu. Drozdov

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Автор, ответственный за переписку.
Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950; pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950

S. Kraev

Institute for Physics of Microstructures

Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950

E. Surovegina

Institute for Physics of Microstructures

Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950

V. Shashkin

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950; pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950

P. Yunin

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: drozdyu@ipmras.ru
Россия, ul. Ul’yanova 46, Nizhny Novgorod, 603950; pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».