Heat Capacity of Erbium-Doped Gallium-Gadolinium Garnet
- Авторы: Lezova I.E.1, Shevchenko E.V.1, Charnaya E.V.1, Khazanov E.N.2, Taranov A.V.2
- 
							Учреждения: 
							- St. Petersburg State University
- Institute of Radioengineering and Electronics
 
- Выпуск: Том 60, № 10 (2018)
- Страницы: 1948-1952
- Раздел: Dielectrics
- URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7834/article/view/204031
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783418100165
- ID: 204031
Цитировать
Аннотация
In this paper, we compared the results of a heat capacity study of an erbium-doped gallium gadolinium garnet crystal with data for an undoped garnet. The measurements were carried out in the temperature range from 1.9 to 220 K and in magnetic fields from 0 to 9 T. The temperature dependences of the specific heat were interpreted with allowance for the Schottky contributions due to the Gd3+ and Er3+ ions and the contributions of the thermal vibrations of the crystal lattice. The values of entropy and magnetic entropy are calculated.
Об авторах
I. Lezova
St. Petersburg State University
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Saint Petersburg, 199034						
E. Shevchenko
St. Petersburg State University
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Saint Petersburg, 199034						
E. Charnaya
St. Petersburg State University
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Saint Petersburg, 199034						
E. Khazanov
Institute of Radioengineering and Electronics
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Moscow, 125009						
A. Taranov
Institute of Radioengineering and Electronics
														Email: irina_gospodchikova@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Moscow, 125009						
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									 
  
  
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail  Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Только для подписчиков
		                                		                                        Только для подписчиков
		                                					