Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 59, № 4 (2017) Magnetic capacitance of the GdxBi1–xFeO3 thin films PDF
(Eng)
Aplesnin S., Kretinin V., Panasevich A., Yanushkevich K.
Том 59, № 4 (2017) Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates PDF
(Eng)
Kukushkin S., Osipov A., Bessolov V., Konenkova E., Panteleev V.
Том 59, № 4 (2017) Anisotropy of the mean free paths of phonons in single-crystal films of germanium, silicon, and diamond at low temperatures PDF
(Eng)
Kuleev I.
Том 59, № 4 (2017) Structure, stability, and thermomechanical properties of Ca-substituted Pr2NiO4 + δ PDF
(Eng)
Pikalova E., Medvedev D., Khasanov A.
Том 59, № 3 (2017) Parametric resonance and photogalvanic currents in layered TlGaSe2 crystals PDF
(Eng)
Odrinskii A., Seyidov M., Mammadov T., Alieva V.
Том 59, № 3 (2017) Linearly and circular dichroism in a semiconductor with a complex valence band with allowance for four-photon absorption of light PDF
(Eng)
Rasulov R., Rasulov V., Eshboltaev I.
Том 59, № 3 (2017) Anomalous magnetism of the nanocrystalline oxide TiO2 surface PDF
(Eng)
Ermakov A., Uimin M., Korolev A., Volegov A., Byzov I., Shchegoleva N., Minin A.
Том 59, № 3 (2017) Transport and magnetic properties of a Zn0.1Cd0.9GeAs2 + 10 wt % MnAs composite with magnetic clusters at high pressure PDF
(Eng)
Arslanov R., Arslanov T., Zalibekov U., Fedorchenko I.
Том 59, № 2 (2017) Spectroscopy of resonant excitation of exciton luminescence of GaSe–GaTe solid solutions PDF
(Eng)
Starukhin A., Nelson D., Fedorov D., Syunyaev D.
Том 59, № 2 (2017) Effect of ionizing radiation on dielectric characteristics of Cu2ZnSn(SxSe1–x)4 single crystals PDF
(Eng)
Hurtavy V., Sheleg A.
Том 59, № 2 (2017) Effective phototransformation in a heterostructure based on copper(I) oxide and cadmium tin oxide PDF
(Eng)
Shelovanova G., Patrusheva T.
Том 59, № 2 (2017) Effect of the parameters of pulsed anodic formation of porous silicon on its luminescent, paramagnetic, and electrotransport properties PDF
(Eng)
Demidov E., Abrosimov A., Demidova N., Karzanov V.
Том 59, № 1 (2017) Effect of heat treatment on the structure and the thermoelectric properties of Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1 thin films and composites based on them PDF
(Eng)
Kalinin Y., Kashirin M., Makagonov V., Pankov S., Sitnikov A.
Том 59, № 1 (2017) Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide PDF
(Eng)
Kitaev Y., Kukushkin S., Osipov A.
Том 58, № 12 (2016) Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition PDF
(Eng)
Soshnikov I., Semenov A., Belyavskii P., Shtrom I., Kotlyar K., Lysak V., Kudryashov D., Pavlov S., Nashchekin A., Cirlin G.
Том 58, № 12 (2016) Electronic structure and spatial distribution of the spin density of shallow nitrogen donors in the SiC lattice PDF
(Eng)
Muzafarova M., Il’in I., Anisimov A., Mokhov E., Soltamov V., Baranov P.
Том 58, № 12 (2016) Electrical conductivity and thermoelectric power of La1–xLixCoO3–δ (0 ≤ x ≤ 0.1) oxides PDF
(Eng)
Vecherskii S., Konopel’ko M., Batalov N., Antonov B., Reznitskikh O., Yaroslavtseva T.
Том 58, № 12 (2016) Photoreflectance of indium antimonide PDF
(Eng)
Komkov O., Firsov D., Lvova T., Sedova I., Semenov A., Solov’ev V., Ivanov S.
Том 58, № 11 (2016) Hopping conduction in EuS polycrystals PDF
(Eng)
Kazanin M., Kaminskii V., Romanova M., Stepanov N., Golubkov A., Sharenkova N.
Том 58, № 11 (2016) Features of an InAsSbP epilayer formation on an InAs support by metalorganic vapor phase epitaxy PDF
(Eng)
Moiseev K., Romanov V., Kudryavtsev Y.
Том 58, № 11 (2016) Energy spectrum of holes in Sb2Te2.9Se0.1 solid solution according to the data on the transfer phenomena PDF
(Eng)
Nemov S., Blagikh N., Allakhkhakh A., Ivanova L., Dzhafarov M., Demchenko A.
Том 58, № 10 (2016) Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy PDF
(Eng)
Reznik R., Kotlyar K., Il’kiv I., Soshnikov I., Kukushkin S., Osipov A., Nikitina E., Cirlin G.
Том 58, № 9 (2016) Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates PDF
(Eng)
Alfimova D., Lunin L., Lunina M., Pashchenko A., Chebotarev S.
Том 58, № 9 (2016) Relaxation processes in an alternating-current electric field and energy loss mechanisms in hafnium diselenide cointercalated with copper and silver atoms PDF
(Eng)
Pleshchev V., Melnikova N., Baranov N.
Том 58, № 9 (2016) First-principles calculation of the photothreshold of a β-GaS layered crystal PDF
(Eng)
Gashimzade F., Guseinova D., Mekhtiev B., Mustafaev N., Jahangirli Z.
126 - 150 из 175 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».