English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Physics of the Solid State
ISSN 1063-7834 (Print) ISSN 1090-6460 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Domain Wall Epitaxial Layer Ferrite Hall Coefficient Magnetization Reversal Manganite Phonon Spectrum Raman Spectrum electrical conductivity epitaxy graphite ionic conductivity microstructure phase transition phase transitions silicon silicon carbide single crystals superconductivity thermal expansion thin films
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Domain Wall Epitaxial Layer Ferrite Hall Coefficient Magnetization Reversal Manganite Phonon Spectrum Raman Spectrum electrical conductivity epitaxy graphite ionic conductivity microstructure phase transition phase transitions silicon silicon carbide single crystals superconductivity thermal expansion thin films
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Sorokin, L. M.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 58, № 3 (2016) Superconductivity Size effects in electrical and magnetic properties of quasi-one-dimensional tin wires in asbestos
Том 60, № 10 (2018) Superconductivity Electrical and Magnetic Properties of Pb and In Nanofilaments in Asbestos near the Superconducting Transition
Том 61, № 8 (2019) Semiconductors On Change in the Silicon Crystal Structure Implanted with Hydrogen Ions during Annealing Based on Three-Crystal X-Ray Diffractometry Data
Том 61, № 10 (2019) Semiconductors Microstructure of Si Crystals Subjected to Irradiation with High-Energy H+ Ions and Heat Treatment by High-Resolution Three-Crystal X-Ray Diffraction and Transmission Electron Microscopy
Том 61, № 12 (2019) Semiconductors Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C–SiC Buffer Layers
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP