Quantum efficiency of 4 H -SiC detectors within the range of 114–400 nm

E. V. Kalinina; G. N. Violina; V. P. Belik; A. V. Nikolaev; V. V. Zabrodskii

doi:10.1134/S1063785016100229

Quantum efficiency of 4H-SiC detectors within the range of 114–400 nm

Авторлар: Kalinina E.V.¹, Violina G.N.², Belik V.P.¹, Nikolaev A.V.¹, Zabrodskii V.V.¹
Мекемелер:
1. Ioffe Physical Technical Institute
2. St. Petersburg Electrotechnical University (LETI)
Шығарылым: Том 42, № 10 (2016)
Беттер: 1057-1059
Бөлім: Article
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7850/article/view/201832
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016100229
ID: 201832

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Electrical and spectrometric characteristics of 4H-SiC detectors with Cr Schottky barriers in the spectral ranges of 114–175 and 210–400 nm are studied. It is demonstrated that the quality of commercially available 4H-SiC layers is sufficient to construct UV radiation detectors with their external quantum efficiency exceeding 20% in the studied spectral ranges.