Resistive switching in Au/SiO  x  /TiN/Ti memristive structures with varied geometric parameters and stoichiometry of dielectric film

A. I. Belov; A. N. Mikhaylov; D. S. Korolev; V. A. Sergeev; I. N. Antonov; O. N. Gorshkov; D. I. Tetelbaum

doi:10.1134/S1063785016050199

Resistive switching in Au/SiO_x/TiN/Ti memristive structures with varied geometric parameters and stoichiometry of dielectric film

Авторлар: Belov A.I.¹, Mikhaylov A.N.¹, Korolev D.S.¹, Sergeev V.A.¹, Antonov I.N.¹, Gorshkov O.N.¹, Tetelbaum D.I.¹
Мекемелер:
1. Lobachevsky University
Шығарылым: Том 42, № 5 (2016)
Беттер: 505-508
Бөлім: Article
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7850/article/view/199114
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016050199
ID: 199114

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

We have studied Au/SiO_x/TiN/Ti memristive structures obtained by magnetron sputtering, which exhibit a reproducible resistive switching effect. The influence of the thickness and stoichiometry of SiO_x layer and the area of Au electrode on the parameters of switching has been analyzed. The obtained results show evidence in favor of the filament model of resistive switching in SiO_x films.