Арсенид-силикатные стекла, сформированные окислением sih4 и ash3, для диффузии мышьяка в si и sio2
- Авторы: Мустафаев Г.А.1, Мустафаев А.Г.2, Здравомыслов Д.М.2
-
Учреждения:
- Дагестанский государственный университет народного хозяйства.
- Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.
- Выпуск: Том 15, № 1 (2025)
- Страницы: 16-20
- Раздел: Физика
- URL: https://journal-vniispk.ru/2221-7789/article/view/358102
- ID: 358102
Цитировать
Полный текст
Аннотация
В работе исследованы арсенид-силикатные стекла, сформированные окислением SiH4 и AsH3. Показано, что скорость осаждения резко уменьшается при концентрации AsH3 в смеси реагентов более 10 мол.%. Исследована диффузия мышьяка через барьерный окисел и без барьерного окисла с применением кислорода О2 и аргона Ar в качестве диффузионной среды. Показано, что приме- нение кислорода О2 вместо аргона Ar в качестве диффузионной среды меняет природу дефектов, при- водит к увеличению глубин переходов и поверхностной концентрации мышьяка Аs в диффузионных слоях. Обнаружена связь между концентрацией As2O3 в стеклах и тенденцией к образованию дефектов в стекле при термообработке.
Об авторах
Гасан Абакарович Мустафаев
Дагестанский государственный университет народного хозяйства.
Автор, ответственный за переписку.
Email: zoone@mail.ru
Доктор технических наук, профессор кафедры электроники и цифровых информационных технологий института электроники, робототехники и искусственного интеллекта. Россия
Арслан Гасанович Мустафаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.
Email: zoone@mail.ru
Доктор технических наук, профессор кафедры информационных технологий и информационной безопасности. Россия
Денис Михайлович Здравомыслов
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова.
Email: zoone@mail.ru
Аспирант 2 года обучения по специальности: Электронная компонентная база микро- и электроники, квантовых устройств. Россия
Дополнительные файлы
