STRUCTURES ON HETEROEPITAXIAL LAYERS OF PbTe(111)-ON-Si WITH STEPPED SUBMICRON SURFACE RELIEF
- Authors: Kozodaev D.A.1, Gagarina A.Y.2, Spivak Y.M.2, Moshnikov V.A.2
-
Affiliations:
- «NT-MDT»
- St. Petersburg State Electrotechnical University «LETI»
- Issue: No 15 (2023)
- Pages: 127-134
- Section: Experimental studies of nanoparticles, nanosystems and nanomaterials
- URL: https://journal-vniispk.ru/2226-4442/article/view/378441
- DOI: https://doi.org/10.26456/pcascnn/2023.15.127
- EDN: https://elibrary.ru/XPFHKW
- ID: 378441
Cite item
Full Text
Abstract
About the authors
Dmitry A. Kozodaev
«NT-MDT»Zelenograd, Russia
Alena Yu. Gagarina
St. Petersburg State Electrotechnical University «LETI»
Email: gagarina.au@gmail.com
St. Petersburg, Russia
Yulia M. Spivak
St. Petersburg State Electrotechnical University «LETI»St. Petersburg, Russia
Vyacheslav A. Moshnikov
St. Petersburg State Electrotechnical University «LETI»St. Petersburg, Russia
References
- Giessibl, F.J. Exploring the nanoworld with atomic force microscopy / F.J. Giessibl, C.F. Quate // Physics Today. - 2006. - V. 59. - I. 12. - P. 44-50. doi: 10.1063/1.2435681.
- Giessibl, F.J. Advances in atomic force microscopy / F.J. Giessibl // Reviews of Modern Physics. - 2003.- V. 75. - I. 3. - P. 949-983. doi: 10.1103/RevModPhys.75.949.
- НТ-МДТ. - Режим доступа: www.url: www.ntmdt-russia.com. - 25.08.2023.
- Пат. 95396 Российская Федерация, МПК G01B 15/00. Метрологический тестовый образец / Мошников В.А., Спивак Ю.М.; заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)".- № 2010100087/22; заявл. 11.01.2010; опубл. 27.06.2010, Бюл. №18. - 6 с.
- Пат. 79992 Российская Федерация, МПК G01B 5/02, B82B 1/00. Метрологический тестовый образец / Буташин А.В., Каневский В.М., Федеров В.А., Занавескин М.Л., Грищенко Ю.В., Шилин Л.Г., Толстихина А.Л.; заявитель и патентообладатель Учреждение российской академии наук Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук. - № 2008122600/22; заявл. 07.06.2008; опубл. 20.01.2009, Бюл. № 2. - 5 с.
- Пат. 2158899 Российская Федерация, МПК G01D 15/00. Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа / Ибрагимов А.Р., Рабухин А.Л.; заявитель и патентообладатель Ибрагимов А.Р., Рабухин А.Л. - №2000106901/28; заявл. 22.03.2000; опубл. 10.11.2000, Бюл. №31. - 14 с.
- Zogg, H. Lead chalcogenide infrared detectors grown on silicon substrates / H. Zogg // In: Lead Chalcogenides: Physics & Applications; ed. D. Khokhlov. - New York: Routledge, 2021. - Ch. 11.-P. 587-616. doi: 10.1201/9780203749081.
- Zogg, H. Epitaxial lead-chalcogenide on silicon layers for thermal imaging applications / H. Zogg // Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics, Kiev, 4 November, 1999: proceedings. - Kiev: SPIE, 1999. - V. 3890. - P. 22-26. doi: 10.1117/12.368352.
- Zogg, H. Thermal-mismatch-strain relaxation in epitaxial CaF2, BaF2/CaF2 and PbSe/BaF2/CaF2 layers on Si (111) after many temperature cycles / H. Zogg, S. Blunier, A. Fach et al. // Physical Review B. - 1994.- V. 50. - I. 15. - P. 10801-10810. doi: 10.1103/PhysRevB.50.10801.
- Канагеева, Ю.М. Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных структурах на основе PbTe (111) по данным атомно-силовой микроскопии / Ю.М. Канагеева // Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ". Серия "Физика твердого тела и электроника". - 2007. - № 1. - С. 33-38.
- Matthews, J.W. Use of misfit strain to remove dislocations from epitaxial thin films / J. W. Matthews, A.E. Blakeslee, S. Mader // Thin Solid Films. - 1976. - V. 33. - I. 2. - P. 253-266. doi: 10.1016/0040-6090(76)90085-7.
Supplementary files
