Otsenka vozmozhnosti uvelicheniya termoelektricheskoy dobrotnosti nanostrukturirovannykh poluprovodnikovykh materialov dlya kholodil'noy tekhniki

Abstract

В работе проведена оценка термоэлектрической (ТЭ) добротности структуры, состоящей из частиц полупроводниковых материалов. Считается, что частицы связаны между собой физическими контактами, диаметр которых меньше диаметра частиц. Показано, что ТЭдобротность структуры может в несколько раз превышать ТЭдобротность сплошного термоэлектрического материала за счет туннелирования электронов от частицы к частице через вакуумные зазоры, прилегающие к физическому контакту. При увеличении ТЭдобротности полупроводниковых структур в 2-4 раза ТЭсистемы охлаждения становятся конкурентными по отношению к компрессионным системам охлаждения.