Мақаланы E-mail арқылы жіберу Low-temperature conductivity of gadolinium sulfides
- Авторлар: Mustafaeva S.N.1, Asadov S.M.2
-
Мекемелер:
- Institute of Physics
- Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry
- Шығарылым: Том 50, № 9 (2016)
- Беттер: 1137-1140
- Бөлім: Electronic Properties of Semiconductors
- URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7826/article/view/197790
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616090177
- ID: 197790
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
In samples of GdSx (x = 1.475–2) of various compositions, the conductivity temperature dependences are investigated for the case of direct current in the low-temperature region (4.2–225 K). The presence of the activation and activationless hopping mechanisms of charge transport over the band gap of the samples of GdSx phases is established. The parameters of localized states in GdSx are determined.
Авторлар туралы
S. Mustafaeva
Institute of Physics
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: solmust@gmail.com
Әзірбайжан, Baku, Az-1143
S. Asadov
Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry
Email: solmust@gmail.com
Әзірбайжан, Baku, Az-1143
Қосымша файлдар
