Effect of ionic Ag +  transfer on localization of metal-assisted etching of silicon surface

O. V. Pyatilova; A. V. Sysa; S. A. Gavrilov; L. V. Yakimova; A. A. Pavlov; A. N. Belov; A. A. Raskin

doi:10.1134/S1063782616130078

Effect of ionic Ag⁺ transfer on localization of metal-assisted etching of silicon surface

Авторы: Pyatilova O.V.¹, Sysa A.V.¹, Gavrilov S.A.¹, Yakimova L.V.¹, Pavlov A.A.², Belov A.N.¹, Raskin A.A.¹
Учреждения:
1. National Research University of Electronic Technology
2. Institute of Nanotechnology Microelectronics
Выпуск: Том 50, № 13 (2016)
Страницы: 1720-1725
Раздел: Microelectronic and Nanoelectronic Technology
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7826/article/view/199216
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616130078
ID: 199216

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The specific features of fabrication of 3D silicon structures via local formation of a sacrificial porous silicon layer by metal-assisted chemical etching with 50- and 100-nm-thick silver films as a catalyst are studied. It is found that the mass transfer of Ag⁺ ions, caused by the temperature gradient, affects the surface morphology of the structure being formed, depending on the linear size of the mask-catalyst.