Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots

A. P. Gorshkov; N. S. Volkova; P. G. Voronin; A. V. Zdoroveyshchev; L. A. Istomin; D. A. Pavlov; Yu. V. Usov; S. B. Levichev

doi:10.1134/S1063782617110136

Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots

Авторы: Gorshkov A.P.¹, Volkova N.S.²^,3, Voronin P.G.¹, Zdoroveyshchev A.V.², Istomin L.A.³, Pavlov D.A.¹, Usov Y.V.¹, Levichev S.B.²
Учреждения:
1. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
2. Physicotechnical Research Institute
3. Research Institute for Chemistry
Выпуск: Том 51, № 11 (2017)
Страницы: 1395-1398
Раздел: XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7826/article/view/201455
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110136
ID: 201455

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The capping of an array of self-assembled InAs/GaAs quantum dots by an InGaAs quantum-well layer leads to an increase in their size due to indium enrichment of the region near the top of the quantum dots, which decreases the energy of the ground-state optical transition in quantum dots by 50 meV and shifts the hole wave function toward the top of the quantum dot.