On the band spectrum in p-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The magnetoabsorption and interband photoconductivity spectra of HgTe/CdHgTe quantum wells exhibiting p-type conductivity are studied at different temperatures. It is shown that, for a sample with a normal band structure, the long-wavelength edge of the spectra shifts to higher energies with temperature increase, indicating an increase of the band gap in the quantum well. For a sample with an inverted band structure, it is for the first time found that the long-wavelength cut-off shifts to lower energies due to the topological phase transition from the inverted band structure to the normal structure with temperature increase. The experimental data are in agreement with the results of theoretical band-structure calculations based on the Kane model.

Об авторах

A. Ikonnikov

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Автор, ответственный за переписку.
Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Nizhny Novgorod, 603950

L. Bovkun

Institute for Physics of Microstructures; Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses (LNCMI-G)

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Grenoble, FR-38042

V. Rumyantsev

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Nizhny Novgorod, 603950

S. Krishtopenko

Institute for Physics of Microstructures; Laboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS 5221 and UM

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Montpellier, 34095

V. Aleshkin

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Nizhny Novgorod, 603950

A. Kadykov

Institute for Physics of Microstructures; Laboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS 5221 and UM

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Montpellier, 34095

M. Orlita

Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses (LNCMI-G)

Email: antikon@ipmras.ru
Франция, Grenoble, FR-38042

M. Potemski

Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses (LNCMI-G)

Email: antikon@ipmras.ru
Франция, Grenoble, FR-38042

V. Gavrilenko

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Nizhny Novgorod, 603950

S. Morozov

Institute for Physics of Microstructures; Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950; Nizhny Novgorod, 603950

S. Dvoretsky

Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

N. Mikhailov

Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch; Novosibirsk State University

Email: antikon@ipmras.ru
Россия, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630090

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).