Features of the Properties of Rare-Earth Semiconductors
- 作者: Kaminski V.V.1, Sharenkova N.V.1
-
隶属关系:
- Ioffe Institute
- 期: 卷 53, 编号 2 (2019)
- 页面: 150-152
- 栏目: Electronic Properties of Semiconductors
- URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7826/article/view/205655
- DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261902012X
- ID: 205655
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作者简介
V. Kaminski
Ioffe Institute
编辑信件的主要联系方式.
Email: Vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
俄罗斯联邦, St. Petersburg, 194021
N. Sharenkova
Ioffe Institute
Email: Vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
俄罗斯联邦, St. Petersburg, 194021
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