Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)

Выпуск Название Файл
Том 53, № 12 (2019) High-Resistivity Gallium Antimonide Produced by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy PDF
(Eng)
Levin R., Vlasov A., Smirnov A., Pushnyi B.
Том 53, № 11 (2019) Do Chemical Effects Affect the Accumulation of Structural Damage during the Implantation of Fluorine Ions into GaN? PDF
(Eng)
Titov A., Karabeshkin K., Karaseov P., Struchkov A.
Том 53, № 8 (2019) Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films PDF
(Eng)
Tyschenko I., Voelskow M., Mikhaylov A., Tetelbaum D.
Том 53, № 8 (2019) Influence of the Charge State of Xenon Ions on the Depth Distribution Profile Upon Implantation into Silicon PDF
(Eng)
Balakshin Y., Kozhemiako A., Petrovic S., Erich M., Shemukhin A., Chernysh V.
Том 53, № 6 (2019) Thick α-Ga2O3 Layers on Sapphire Substrates Grown by Halide Epitaxy PDF
(Eng)
Pechnikov A., Stepanov S., Chikiryaka A., Scheglov M., Odnobludov M., Nikolaev V.
Том 53, № 4 (2019) Defect Formation under Nitrogen-Ion Implantation and Subsequent Annealing in GaAs Structures with an Uncovered Surface and a Surface Covered with an AlN Film PDF
(Eng)
Sobolev N., Sakharov V., Serenkov I., Bondarev A., Karabeshkin K., Fomin E., Kalyadin A., Mikoushkin V., Shek E., Sherstnev E.
Том 53, № 4 (2019) Effect of Nickel and Copper Introduced at Room Temperature on the Recombination Properties of Extended Defects in Silicon PDF
(Eng)
Orlov V., Yarykin N., Yakimov E.
Том 53, № 3 (2019) Anharmonicity of Lattice Vibrations in Bi2Se3 Single Crystals PDF
(Eng)
Badalova Z., Abdullayev N., Azhdarov G., Aliguliyeva K., Gahramanov S., Nemov S., Mamedov N.
Том 53, № 3 (2019) Decomposition of a Solid Solution of Interstitial Magnesium in Silicon PDF
(Eng)
Shuman V., Lodygin A., Portsel L., Yakovleva A., Abrosimov N., Astrov Y.
Том 52, № 13 (2018) McCurdy’s Effects in the Thermal Conductivity of Elastically Anisotropic Crystals in the Mode of Knudsen Phonon-Gas Flow PDF
(Eng)
Kuleyev I., Kuleyev I., Bakharev S.
Том 52, № 13 (2018) Effect of a por-Si Buffer Layer on the Structure and Morphology of Epitaxial InxGa1 – xN/Si(111) Heterostructures PDF
(Eng)
Seredin P., Leiste H., Beltiukov A., Arsentyev I., Mizerov A., Khudyakov Y., Lenshin A., Kondrashin M., Zolotukhin D., Goloshchapov D., Rinke M.
Том 52, № 8 (2018) Solid-Phase Reactions and Phase Transformations in a Nanoscale Bismuth/Selenium Film Structure PDF
(Eng)
Kogai V., Mikheev G.
Том 52, № 8 (2018) Formation of Precipitates in Si Implanted with 64Zn+ and 16O+ Ions PDF
(Eng)
Privezentsev V., Kirilenko E., Goryachev A., Lutzau A.
Том 52, № 8 (2018) Features of 63,65Cu NMR Spectra in the Local Field of Samples of CuFeS2 Semiconductor Mineral from Oceanic Sulfide Deposits PDF
(Eng)
Matukhin V., Pogoreltsev A., Gavrilenko A., Garkavyi S., Shmidt E., Babaeva S., Sukhanova A., Terukov E.
Том 52, № 7 (2018) Matrix Calculation of the Spectral Characteristics of AII–BVI Semiconductors Doped with Iron-Group Ions PDF
(Eng)
Kurchatov I., Kustov E.
Том 52, № 2 (2018) Use of the Atomic Structure of Silicon Crystals to Obtain Multi-Tip Field-Emission Sources of Electrons PDF
(Eng)
Yafarov R.
Том 51, № 9 (2017) Residual stresses in silicon and their evolution upon heat treatment and irradiation PDF
(Eng)
Matyash I., Minailova I., Serdega B., Khirunenko L.
Том 51, № 8 (2017) Mn0.1Ag0.9In4.7S7.6 single crystals: Crystal structure, band gap, and thermal expansion PDF
(Eng)
Bodnar I., Tkhan C.
Том 51, № 8 (2017) High-temperature diffusion of magnesium in dislocation-free silicon PDF
(Eng)
Shuman V., Astrov Y., Lodygin A., Portsel L.
Том 51, № 6 (2017) Polymorphic transformations and thermal expansion in AgCuSe0.5(S,Te)0.5 crystals PDF
(Eng)
Aliyev Y., Asadov Y., Aliyeva R., Jabarov S.
Том 51, № 6 (2017) On a neutron detector based on TlInSe2 crystals intercalated with a lithium isotope PDF
(Eng)
Alekseev I., Goremychkin E., Gundorin N., Petrenko A., Sashin I.
Том 51, № 6 (2017) Study of the distribution profile of iron ions implanted into silicon PDF
(Eng)
Kozhemyako A., Balakshin Y., Shemukhin A., Chernysh V.
Том 51, № 5 (2017) Negative annealing in silicon after the implantation of high-energy sodium ions PDF
(Eng)
Korol’ V., Zastavnoi A., Kudriavtsev Y., Asomoza R.
Том 51, № 3 (2017) Single crystals of (FeIn2S4)x · (CuIn5S8)1–x alloys: Crystal structure, nuclear gamma resonance spectra, and thermal expansion PDF
(Eng)
Bodnar I., Zhafar M., Kasyuk Y., Fedotova Y.
Том 51, № 3 (2017) Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration PDF
(Eng)
Lozovskii V., Lomov A., Lunin L., Seredin B., Chesnokov Y.
1 - 25 из 33 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».