Информация об авторе

Shvarts, M. Z.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 1 (2016) Physics of Semiconductor Devices Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm
Том 50, № 1 (2016) Physics of Semiconductor Devices Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters
Том 50, № 4 (2016) Physics of Semiconductor Devices Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates
Том 50, № 7 (2016) Physics of Semiconductor Devices On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model
Том 51, № 1 (2017) Physics of Semiconductor Devices Influence of double- and triple-layer antireflection coatings on the formation of photocurrents in multijunction III–V solar cells
Том 51, № 1 (2017) Physics of Semiconductor Devices Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD
Том 52, № 3 (2018) Physics of Semiconductor Devices Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
Том 52, № 7 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena In0.8Ga0.2As Quantum Dots for GaAs Solar Cells: Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Growth Peculiarities and Properties
Том 52, № 10 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Recombination in GaAs p–i–n Structures with InGaAs Quantum-Confined Objects: Modeling and Regularities
Том 52, № 10 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Multilayer Quantum Well–Dot InGaAs Heterostructures in GaAs-based Photovoltaic Converters
Том 52, № 13 (2018) Physics of Semiconductor Devices AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters of Tritium Radioluminescent-Lamp Radiation
Том 53, № 8 (2019) Physics of Semiconductor Devices Module of Laser-Radiation (λ = 1064 nm) Photovoltaic Converters
Том 53, № 11 (2019) Physics of Semiconductor Devices Counteracting the Photovoltaic Effect in the Top Intergenerator Part of GaInP/GaAs/Ge Solar Cells
Том 53, № 12 (2019) Physics of Semiconductor Devices Ga(In)AsP Lateral Nanostructures as the Optical Component of GaAs-Based Photovoltaic Converters
Том 53, № 14 (2019) Nanostructure Devices Capacitive Characteristics of High-Speed Photovoltaic Converters at Combined Lighting

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».