English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
页面头部
Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print) ISSN 1090-6479 (Online)
⽬录     过刊浏览
  • 首页
  • 关于期刊
    • 编辑部
    • 编辑政策
    • 作者指南
    • 关于期刊
  • 刊期
    • 检索
    • 最新一期
    • ##navigation.retracted##
    • 过刊浏览
  • 联系方式
  • 所有期刊
用户
忘记您的密码? 注册
通知
  • 预览
  • 订阅
期刊内容
浏览
  • 通过刊期
  • 按作者
  • 根据标题
  • 部分
  • 其他杂志
订阅 登录验证订阅
关键字 GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
×
用户
忘记您的密码? 注册
通知
  • 预览
  • 订阅
期刊内容
浏览
  • 通过刊期
  • 按作者
  • 根据标题
  • 部分
  • 其他杂志
订阅 登录验证订阅
关键字 GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
首页 > 检索 > 浏览作者索引

浏览作者索引

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 全部

A

Ali, Ghafar
Aliev, F. F.
Aliev, M. A.
Aliev, R. A.
Aliguliyeva, Kh. V.
Alikhanov, A. A.
Alikhanov, N. M. -R.
Aliyev, F. F.
Aliyev, Y. I.
Aliyeva, L. N.
Aliyeva, N. A.
Aliyeva, R. D.
Aliyeva, Y. N.
Aliyeva, Ye. N.
Alizade, E. G.
Allahkhah, A. A.
Alpatov, A. V.
Alperovich, V. L.
Alruwaili, Amani
Altuhov, V. I.
Altukhov, I. V.
Altukhov, V. I.
Altuntas, I.
Alvi, P. A.
Alyabieva, N. I.

76 - 100 的 3485 信息    << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 
 

期刊

期刊目录

搜索文章

法律信息

本网站关于处理个人数据的政策

与网站用户的协议

 

RCSI 联系方式

信息电话 +7 (499) 941-01-15

地址: Leninsky Prospekt 32a

莫斯科, 119334

电子邮件: info@rcsi.science

平台开发

RUSSIAN CENTRE FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP