Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 50, № 2 (2016)
Study of the surface of GaAs after etching in high-frequency and glow discharge plasma by atomic force microscopy
Dunaev A., Murin D., Pivovarenok S.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Superficial Defect Formation in CdTe under the Radiation Effect of a CO2 Laser
Shkumbatjuk P.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
State of the Surface of Polycrystalline Silver after Exposure to Activated Oxygen
Ashkhotov O., Khubezhov S., Ashkhotova I.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes
Ikonnikov A., Chernichkin V., Dudin V., Akopian D., Akimov A., Klimov A., Tereshchenko O., Ryabova L., Khokhlov D.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation
Sitnikov S., Latyshev A., Kosolobov S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Features of InN growth by nitrogen-plasma-assisted MBE at different ratios of fluxes of group-III and -V elements
Lobanov D., Novikov A., Andreev B., Bushuykin P., Yunin P., Skorohodov E., Krasilnikova L.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Synthesis, Structural and Spectral Properties of Surface Noble Metal Nanostructures for Fiber-Optic Photoacoustic Generation
Goncharov V., Kozadaev K., Mikitchuk A., Puzyrev M.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion
Klimov A., Akimov A., Akhundov I., Golyashov V., Gorshkov D., Ishchenko D., Sidorov G., Suprun S., Tarasov A., Epov V., Tereshchenko O.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Study of the correlation properties of the surface structure of nc-Si/a-Si:H films with different fractions of the crystalline phase
Alpatov A., Vikhrov S., Kazanskii A., Lyaskovskii V., Rybin N., Rybina N., Forsh P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates
Khabibullin R., Yachmenev A., Lavrukhin D., Ponomarev D., Bugayev A., Maltsev P.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates
Timoshnev S., Mizerov A., Lapushkin M., Kukushkin S., Bouravleuv A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Evaluation of the Impact of Surface Recombination in Microdisk Lasers by Means of High-Frequency Modulation
Blokhin S., Kulagina M., Guseva Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mozharov A., Zubov F., Maximov M., Zhukov A., Moiseev E., Kryzhanovskaya N.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Simulation of the real efficiencies of high-efficiency silicon solar cells
Sachenko A., Skrebtii A., Korkishko R., Kostylyov V., Kulish N., Sokolovskyi I.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
On the electrical and optical properties of oxide nanolayers produced by the thermal oxidation of metal tin
Ryabtsev S., Chuvenkova O., Kannykin S., Popov A., Ryabtseva N., Voischev S., Turishchev S., Domashevskaya E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
The Study of Nanoindentation of Atomically Flat GaAs Surface using the Tip of Atomic-Force Microscope
Prasolov N., Ermakov I., Gutkin A., Solov’ev V., Dorogin L., Konnikov S., Brunkov P.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
J–V Characteristic of p–n Structure Formed on n-GaAs Surface by Ar+ Ion Beam
Mikoushkin V., Kalinovskii V., Kontrosh E., Makarevskaya E.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
Rabehi A., Bideux L., Gruzza B., Monier G., Hatem-Kacha A., Guermoui M., Ziane A., Akkal B., Benamara Z., Amrani M., Robert-Goumet C.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Quantitative analysis of optical and recombination losses in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells
Kosyachenko L., Lytvynenko V., Maslyanchuk O.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Femtosecond Laser-Induced Periodical Nanomodification of Surface Composition
Ionin A., Kudryashov S., Makarov S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 13 (2019)
The Surface Preparation of Thermoelectric Materials for Deposition of Thin-Film Contact Systems
Shtern M., Karavaev I., Shtern Y., Kozlov A., Rogachev M.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Field Effect in PbSnTe:In Films with Low Conductivity in the Mode of Injection from Contacts and Space-Charge Limitation of the Current
Akimov A., Klimov A., Epov V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Induced surface states of the ultrathin Ba/3C-SiC(111) interface
Benemanskaya G., Dementev P., Kukushkin S., Lapushkin M., Senkovskiy B., Timoshnev S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Emission of Light from Compositionally Graded CdSSe/CdS Heterostructure with Smooth Near-surface Excitonic Potential
Grigorieva N., Sel’kin A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 13 (2019)
Comparative Analysis of Double Gate Junction Less (DG JL) and Gate Stacked Double Gate Junction Less (GS DG JL) MOSFETs
Shrey Arvind Singh , Shweta Tripathi
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface
Smagina Z., Zinovyev V., Krivyakin G., Rodyakina E., Kuchinskaya P., Fomin B., Yablonskiy A., Stepikhova M., Novikov A., Dvurechenskii A.
PDF
(Eng)
1 - 25 из 33 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».