Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 52, № 16 (2018)
Investigation of DC and RF Performance of Novel MOSHEMT on Silicon Substrate for Future Submillimetre Wave Applications
Ajayan J., Ravichandran T., Mohankumar P., Prajoon P., Pravin J., Nirmal D.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Kryzhanovskaya N., Maximov M., Blokhin S., Bobrov M., Kulagina M., Troshkov S., Zadiranov Y., Lipovskii A., Moiseev E., Kudashova Y., Livshits D., Ustinov V., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Dielectric Measurements of Polymer Composite Based on CdS Quantum Dots in Low Density Polyethylene at Microwave Frequencies
Ushakov N., Kosobudsky I.
PDF
(Eng)
Том 52, № 15 (2018)
Measuring the Effective Masses of the Electrical Conductivity and Density of States by Contactless Microwave Means
Usanov D., Postelga A., Gurov K.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Effect of Phonon Drag on the Thermopower in a Parabolic Quantum Well
Hasanov K., Huseynov J., Dadashova V., Aliyev F.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Probability Density Operator and Darwin Term in ID Spinless Semi-Relativistic System
Rumyantsev E., Kunavin P., Germanenko A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate
Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I., Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Morozov A., Karakolis P., Dimitrakis P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Ab Initio Calculations of Phonon Dispersion in ZnGa2Se4
Dzhakhangirli Z., Kerimova T., Abdullaev N.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Determination of the Bulk Conductivity of III–V Semiconductors in a Strong Constant Electric Field and under Harmonic Effects
Malyshev I., Fil K., Goncharova O.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Shamirzaev T.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Sobolev N., Kalyadin A., Konovalov M., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E., Shtel’makh K., Mikhaylov A., Tetel’baum D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Ab Initio Study of Absorption Resonance Correlations between Nanotubes and Nanoribbons of Graphene and Hexagonal Boron Nitride
Payod R., Saroka V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-μm Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates
Maximov M., Nadtochiy A., Shernyakov Y., Payusov A., Vasil’ev A., Ustinov V., Serin A., Gordeev N., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Composition and optical properties of amorphous a-SiOx:H films with silicon nanoclusters
Terekhov V., Terukov E., Undalov Y., Parinova E., Spirin D., Seredin P., Minakov D., Domashevskaya E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Record Low Threshold Current Density in Quantum Dot Microdisk Laser
Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zubov F., Mikhailovskii M., Abramov A., Maximov M., Kulagina M., Guseva Y., Livshits D., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 9 (2018)
Lowering the Lasing Threshold by Doping in Mid-Infrared Lasers Based on HgCdTe with HgTe Quantum Wells
Dubinov A., Aleshkin V., Morozov S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures
Aleksandrov I., Zhuravlev K., Mansurov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
Thermodynamic Description of Oscillations of the Magnetization of a Silicon Nanostructure in Weak Fields at Room Temperature. Density of States
Romanov V., Kozhevnikov V., Bagraev N.
PDF
(Eng)
Том 51, № 13 (2017)
Determining the Free Carrier Density in CdxHg1–xTe Solid Solutions from Far-Infrared Reflection Spectra
Belov A., Denisov I., Kanevskii V., Pashkova N., Lysenko A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Halogen adsorption at an As-stabilized β2–GaAs (001)–(2 × 4) surface
Bakulin A., Kulkova S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2019)
Structure and Optical Properties of Chalcogenide Glassy Semiconductors of the As–Ge–Se System
Isayev A., Mekhtiyeva S., Mammadova H., Alekberov R.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers
Sokolova Z., Bakhvalov K., Lyutetskiy A., Pikhtin N., Tarasov I., Asryan L.
PDF
(Eng)
1 - 22 из 22 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».