Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 50, № 4 (2016)
Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides
Borisenko S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Layer-by-Layer Analysis of the Thickness Distribution of Silicon Dioxide in the Structure SiO2/Si(111) by Inelastic Electron Scattering Cross-Section Spectroscopy
Pchelyakov O., Mikhlin Y., Parshin A., Kushchenkov S.
PDF
(Eng)
Том 53, № 16 (2019)
Study of Structural Modification of Composites with Ge Nanoclusters by Optical and Electron Microscopy Methods
Astankova K., Gorokhov E., Azarov I., Volodin V., Latyshev A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes
Lebedev A., Kozlovski V., Ivanov P., Levinshtein M., Zubov A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Analysis of the Behavior of Nonequilibrium Semiconductor Structures and Microwave Transistors During and After Pulsed γ- and γ-Neutron Irradiation
Venediktov M., Dukov D., Krevskiy M., Metelkin I., Chukov G., Elesin V., Obolensky S., Bozhen’kina A., Tarasova E., Fefelov A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation
Tarasova E., Khananova A., Obolensky S., Zemlyakov V., Sveshnikov Y., Egorkin V., Ivanov V., Medvedev G., Smotrin D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Study of the Formation Process of Memristor Structures Based on Copper Sulfide
Belov A., Golishnikov A., Mastinin A., Perevalov A., Shevyakov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Magnetosonic Waves in a Two-Dimensional Electron Fermi Liquid
Alekseev P.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Formation of a Graphene-Like SiN Layer on the Surface Si(111)
Mansurov V., Galitsyn Y., Malin T., Teys S., Fedosenko E., Kozhukhov A., Zhuravlev K., Cora I., Pécz B.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Effect of Phonon Drag on the Thermopower in a Parabolic Quantum Well
Hasanov K., Huseynov J., Dadashova V., Aliyev F.
PDF
(Eng)
Том 53, № 15 (2019)
Electron Microscopy Study of Silver Nanoparticles Obtained by Thermal Evaporation
Grishina Y., Borgardt N., Volkov R., Gromov D., Savitskiy A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
Comparison of the Radiation Resistance of Prospective Bipolar and Heterobipolar Transistors
Shobolova T., Korotkov A., Petryakova E., Lipatnikov A., Puzanov A., Obolensky S., Kozlov V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells
Dobretsova A., Kvon Z., Braginskii L., Entin M., Mikhailov N.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
On Measurements of the Electrons and Holes Impact-Ionization Coefficients in 4H–SiC
Kyuregyan A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Photoluminescence and Transmission Electron Microscopy Methods for Characterization of Super-Multiperiod A3B5 Quantum Well Structures
Goray L., Pirogov E., Nikitina E., Ubyivovk E., Gerchikov L., Ipatov A., Dashkov A., Sobolev M., Ilkiv I., Bouravlev A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate
Sushkov A., Pavlov D., Shengurov V., Denisov S., Chalkov V., Baidus N., Rykov A., Kryukov R.
PDF
(Eng)
Том 50, № 13 (2016)
Study of the structure and composition of the strained epitaxial layer in the InAlAs/GaAs(100) heterostructure by transmission electron microscopy
Lovygin M., Borgardt N., Bugaev A., Volkov R., Seibt M.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Features of InN growth by nitrogen-plasma-assisted MBE at different ratios of fluxes of group-III and -V elements
Lobanov D., Novikov A., Andreev B., Bushuykin P., Yunin P., Skorohodov E., Krasilnikova L.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Optical Estimation of the Carrier Concentration and the Value of Strain in Monolayer Graphene Grown on 4H-SiC
Eliseyev I., Davydov V., Smirnov A., Nestoklon M., Dementev P., Lebedev S., Lebedev A., Zubov A., Mathew S., Pezoldt J., Bokai K., Usachov D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Comparison of the Features of Electron Transport and Subterahertz Generation in Diodes Based on 6-, 18-, 70-, and 120-Period GaAs/AlAs Superlattices
Obolenskaya E., Ivanov A., Pavelyev D., Kozlov V., Vasilev A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250–1400-nm spectral range
Egorov A., Karachinsky L., Novikov I., Babichev A., Nevedomskiy V., Bugrov V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
On the electrical and optical properties of oxide nanolayers produced by the thermal oxidation of metal tin
Ryabtsev S., Chuvenkova O., Kannykin S., Popov A., Ryabtseva N., Voischev S., Turishchev S., Domashevskaya E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 14 (2019)
Microwave Absorption by Axisymmetric Plasmon Mode in 2D Electron Disk
Zagorodnev I., Rodionov D., Zabolotnykh A., Volkov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2019)
Spin–Orbit Interaction and Carrier Mobility in a Longitudinal InSb Autosoliton under a Magnetic Field
Kamilov I., Stepurenko A., Gummetov A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
On the surface photovoltaic effect in a multivalley semiconductor in an external magnetic field
Rasulov V., Rasulov R.
PDF
(Eng)
1 - 25 из 30 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».