Growth and properties of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The results obtained in the growth of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures are discussed. The composition, structural quality, and luminescence properties of the heterostructures are studied.

Об авторах

D. Alfimova

Southern Scientific Center

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 343006

L. Lunin

Southern Scientific Center; Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Автор, ответственный за переписку.
Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 343006; Novocherkassk, Rostov-on-Don oblast, 346428

M. Lunina

Southern Scientific Center

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 343006

D. Arustamyan

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Novocherkassk, Rostov-on-Don oblast, 346428

A. Kazakova

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Novocherkassk, Rostov-on-Don oblast, 346428

S. Chebotarev

Southern Scientific Center; Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: lunin_ls@mail.ru
Россия, Rostov-on-Don, 343006; Novocherkassk, Rostov-on-Don oblast, 346428

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).