Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Выпуск Название Файл
Том 53, № 13 (2019) Influence of Heat Treatments on the Properties of ZnO Nanorods Prepared by Hydrothermal Synthesis PDF
(Eng)
Hyunggun Ma .
Том 53, № 12 (2019) Deposition of Amorphous and Microcrystalline Films of Silicon by the Gas-Jet Plasma-Chemical Method PDF
(Eng)
Shchukin V., Konstantinov V., Sharafutdinov R.
Том 53, № 12 (2019) Metal-Assisted Photochemical Etching of N- and Ga-Polar GaN Epitaxial Layers PDF
(Eng)
Mokhov D., Berezovskaya T., Nikitina E., Shubina K., Mizerov A., Bouravleuv A.
Том 53, № 12 (2019) InxAl1 –xN Solid Solutions: Composition Stability Issues PDF
(Eng)
Brudnyi V., Vilisova M., Velikovskiy L.
Том 53, № 11 (2019) On the Processes of the Self-Assembly of CdS Nanocrystal Arrays Formed by the Langmuir–Blodgett Technique PDF
(Eng)
Svit K., Zhuravlev K.
Том 53, № 11 (2019) Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching PDF
(Eng)
Levitskii Y., Mitrofanov M., Voznyuk G., Nikolayev D., Mizerov M., Evtikhiev V.
Том 53, № 11 (2019) On the Phase Composition, Morphology, and Optical and Electronic Characteristics of AlN Nanofilms Grown on Misoriented GaAs(100) Substrates PDF
(Eng)
Seredin P., Fedyukin A., Terekhov V., Barkov K., Arsentyev I., Bondarev A., Fomin E., Pikhtin N.
Том 53, № 11 (2019) Raman Scattering in AlN Crystals Grown by Sublimation on SiC and AlN Seeds PDF
(Eng)
Breev I., Anisimov A., Wolfson A., Kazarova O., Mokhov E.
Том 53, № 8 (2019) Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate PDF
(Eng)
Seredin P., Goloshchapov D., Zolotukhin D., Lenshin A., Mizerov A., Arsentyev I., Leiste H., Rinke M.
Том 53, № 8 (2019) Molecular-Beam Epitaxy of Two-Dimensional GaSe Layers on GaAs(001) and GaAs(112) Substrates: Structural and Optical Properties PDF
(Eng)
Sorokin S., Avdienko P., Sedova I., Kirilenko D., Yagovkina M., Smirnov A., Davydov V., Ivanov S.
Том 53, № 8 (2019) Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown by MOCVD PDF
(Eng)
Aleshkin V., Baidus N., Dubinov A., Kudryavtsev K., Nekorkin S., Kruglov A., Reunov D.
Том 53, № 7 (2019) Features of the Initial Stage of the Heteroepitaxy of Silicon Layers on Germanium When Grown from Silicon Hydrides PDF
(Eng)
Orlov L., Ivina N., Bozhenkin V.
Том 53, № 7 (2019) Properties of Semipolar GaN Grown on a Si(100) Substrate PDF
(Eng)
Bessolov V., Konenkova E., Orlova T., Rodin S., Seredova N., Solomnikova A., Shcheglov M., Kibalov D., Smirnov V.
Том 53, № 7 (2019) Investigation into the Influence of a Buffer Layer of Nanoporous Silicon on the Atomic and Electronic Structure and Optical Properties of AIIIN/por-Si Heterostructures Grown by Plasma-Activated Molecular-Beam Epitaxy PDF
(Eng)
Seredin P., Lenshin A., Zolotukhin D., Goloshchapov D., Mizerov A., Arsentyev I., Beltyukov A.
Том 53, № 6 (2019) Composition, Structure, and Semiconductor Properties of Chemically Deposited SnSe Films PDF
(Eng)
Maskaeva L., Fedorova E., Markov V., Kuznetsov M., Lipina O.
Том 53, № 4 (2019) Optical and Structural Properties of Ag and c-Si Nanostructures Formed During the Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon PDF
(Eng)
Zharova Y., Tolmachev V., Pavlov S.
Том 53, № 4 (2019) Effect of Oxygen Flow Rate on Structural, Electrical and Optical Properties of Zinc Aluminum Oxide Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering PDF
(Eng)
Kumar B., Hymavathi B.
Том 53, № 4 (2019) Electrical and Optical Characteristics of Si-Nanoparticle Films Deposited onto Substrates by High-Voltage Electrospraying from Ethanol Sols PDF
(Eng)
Bubenov S., Dorofeev S., Kononov N., Davydova D.
Том 53, № 3 (2019) Structure and Properties of Gallium-Oxide Films Produced by High-Frequency Magnetron-Assisted Deposition PDF
(Eng)
Kalygina V., Lygdenova T., Novikov V., Petrova Y., Tsymbalov A., Yaskevich T.
Том 53, № 3 (2019) Formation of Nanoporous Copper-Silicide Films PDF
(Eng)
Buchin E., Naumov V., Vasilyev S.
Том 53, № 3 (2019) Crystallization of Amorphous Germanium Films and Multilayer a-Ge/a-Si Structures upon Exposure to Nanosecond Laser Radiation PDF
(Eng)
Volodin V., Krivyakin G., Ivlev G., Prokopyev S., Gusakova S., Popov A.
Том 53, № 3 (2019) Comparative Studies of AlGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode High Electron Mobility Transistors with Virtual Channel Layers by Hybrid Gate Recesses Approaches PDF
(Eng)
Tsai J., Lin P., Chen Y., Liou S., Niu J.
Том 53, № 2 (2019) Low-Temperature Ta/Al-Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structures on Silicon Wafers PDF
(Eng)
Erofeev E., Fedin I., Fedina V., Fazleev A.
Том 53, № 2 (2019) Anodic Oxidation of Hydrogen-Transferred Silicon-on-Insulator Layers PDF
(Eng)
Tyschenko I., Popov I., Spesivtsev E.
Том 53, № 2 (2019) Electrical and Photoluminescence Studies of {LT-GaAs/GaAs:Si} Superlattices Grown by MBE on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates PDF
(Eng)
Galiev G., Klimov E., Klochkov A., Kopylov V., Pushkarev S.
1 - 25 из 135 результатов 1 2 3 4 5 6 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».