Heteroepitaxy of GaP Nucleation Layers on Si by Molecular Beam Epitaxy

M. S. Sobolev; A. A. Lazarenko; A. M. Mizerov; E. V. Nikitina; E. V. Pirogov; S. N. Timoshnev; A. D. Bouravleuv

doi:10.1134/S1063782618160327

Heteroepitaxy of GaP Nucleation Layers on Si by Molecular Beam Epitaxy

Авторы: Sobolev M.S.¹, Lazarenko A.A.¹, Mizerov A.M.¹, Nikitina E.V.¹, Pirogov E.V.¹, Timoshnev S.N.¹, Bouravleuv A.D.¹^,2
Учреждения:
1. St. Petersburg Academic University
2. St. Petersburg Electrotechnical University
Выпуск: Том 52, № 16 (2018)
Страницы: 2128-2131
Раздел: 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7826/article/view/205472
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618160327
ID: 205472

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The growth of single crystalline GaP nucleation and buffer layers on Si substrates by molecular-beam epitaxy is demonstrated. The use of two different regimes of migration-enhanced epitaxy was studied. It was found that p–n junctions can be created due to the interdiffusion during the growth of GaP layer on p-type Si substrate.