Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 61, № 12 (2019) Effect of Gamma Irradiation on Conductivity of Cd1 – xFexTe PDF
(Eng)
Mehrabova M., Nuriyev H., Orujov H., Hasanov N., Kerimova T., Abdullayeva A., Kazimova A.
Том 61, № 12 (2019) Study of Elastic Properties of SiC Films Synthesized on Si Substrates by the Method of Atomic Substitution PDF
(Eng)
Grashchenko A., Kukushkin S., Osipov A.
Том 61, № 12 (2019) Impact of Elastic Stress on Crystal Phase of GaP Nanowires PDF
(Eng)
Sibirev N., Berdnikov Y., Sibirev V.
Том 61, № 12 (2019) Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C–SiC Buffer Layers PDF
(Eng)
Sorokin L., Gutkin M., Myasoedov A., Kalmykov A., Bessolov V., Kukushkin S.
Том 61, № 12 (2019) Growth Anisotropy and Crystal Structure of Linear Conjugated Oligomers PDF
(Eng)
Postnikov V., Lyasnikova M., Kulishov A., Sorokina N., Voloshin A., Skorotetcky M., Borshchev O., Ponomarenko S.
Том 61, № 12 (2019) Formation of AgInS2/ZnS Colloidal Nanocrystals and Their Photoluminescence Properties PDF
(Eng)
Korepanov O., Mazing D., Aleksandrova O., Moshnikov V., Komolov A., Lazneva E., Kirilenko D.
Том 61, № 12 (2019) Forming the GaN Nanocrystals on the Graphene-Like g-AlN and g-Si3N3 Surface PDF
(Eng)
Kozhukhov A., Aleksandrov I., Rzheutski N., Lebiadok E., Razumets E., Zhuravlev K., Milakhin D., Malin T., Mansurov V., Galitsyn Y.
Том 61, № 12 (2019) GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography PDF
(Eng)
Rodin S., Lundin W., Tsatsulnikov A., Sakharov A., Usov S., Mitrofanov M., Levitskii I., Evtikhiev V., Kaliteevski M.
Том 61, № 12 (2019) Mechanism of Diffusion of Carbon and Silicon Monooxides in a Cubic Silicon Carbide Crystal PDF
(Eng)
Kukushkin S., Osipov A.
Том 61, № 12 (2019) A New Method of Growing AlN, GaN, and AlGaN Bulk Crystals Using Hybrid SiC/Si Substrates PDF
(Eng)
Kukushkin S., Sharofidinov S.
Том 61, № 12 (2019) Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates PDF
(Eng)
Mizerov A., Kukushkin S., Sharofidinov S., Osipov A., Timoshnev S., Shubina K., Berezovskaya T., Mokhov D., Buravlev A.
Том 61, № 12 (2019) Studies of Thermoelectric Properties of Superlattices Based on Manganese Silicide and Germanium PDF
(Eng)
Dorokhin M., Kuznetsov Y., Lesnikov V., Zdoroveyshchev A., Demina P., Erofeeva I.
Том 61, № 12 (2019) Photoemission Studies of the Electronic Structure of GaN Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy PDF
(Eng)
Timoshnev S., Mizerov A., Benemanskaya G., Kukushkin S., Buravlev A.
Том 61, № 12 (2019) Effect of Solid-State Epitaxial Recrystallization on Defect Density in Ultrathin Silicon-on-Sapphire Layers PDF
(Eng)
Fedotov S., Statsenko V., Egorov N., Golubkov S.
Том 61, № 12 (2019) Growing Bulk Aluminum Nitride and Gallium Nitride Crystals by the Sublimation Sandwich Method PDF
(Eng)
Mokhov E., Wol’fson A., Kazarova O.
Том 61, № 12 (2019) Features of Forming the Electronic Structure at Synthesis of Ti2AlC, Ti2AlN, Ti2SiC, and Ti2SiN Compounds PDF
(Eng)
Zavodinskii V., Gorkusha O.
Том 61, № 12 (2019) On Thermomigration Velocity of Liquid Cylindrical Inclusions in a Crystal under Stationary Thermal Conditions PDF
(Eng)
Garmashov S.
Том 61, № 12 (2019) High Resolution Investigation on the NiAu Ohmic Contact to p-AlGaN|GaN Heterostructure PDF
(Eng)
Zheng-Fei Hu ., Li X., Zhang Y.
Том 61, № 12 (2019) Dependence of Properties of Variable Gradient Porous Structures of Silicon on the Method of Formation PDF
(Eng)
Rubtsova K., Silina M.
Том 61, № 11 (2019) The Dipole Ordering and the Ionic Conductivity in the NASICON-Like Structures of the Na3Sc2(PO4)3 Type PDF
(Eng)
Nogai A., Nogai A., Stefanovich S., Solikhodzha Z., Uskenbaev D.
Том 61, № 11 (2019) Electronic Structure of Molybdenum Oxidized in Air PDF
(Eng)
Dement’ev P., Ivanova E., Lapushkin M., Smirnov D., Timoshnev S.
Том 61, № 11 (2019) Effect of the Chemical Composition of TlIn1 – xErxS2 (0 ≤ x ≤ 0.01) Crystals on Their Dielectric Characteristics and the Parameters of Localized States PDF
(Eng)
Mustafaeva S., Asadov M.
Том 61, № 11 (2019) The Impurity Magnetic Susceptibility of Semiconductors in the Case of Direct Exchange Interaction in the Ising Model PDF
(Eng)
Bogoslovskiy N., Petrov P., Averkiev N.
Том 61, № 11 (2019) Photoluminescence of Cu2O Crystals of Different Origins PDF
(Eng)
Agekyan V., Serov A., Filosofov N.
Том 61, № 10 (2019) The Influence of Electron Irradiation on the Dielectric Characteristics of Single Crystals of AgGaSe2 PDF
(Eng)
Sheleg A., Hurtavy V.
1 - 25 из 175 результатов 1 2 3 4 5 6 7 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».