Analysis of reliability of semiconductor emitters with different designs of cavities

A. V. Ivanov; V. D. Kurnosov; K. V. Kurnosov; Yu. V. Kurnyavko; A. V. Lobintsov; A. S. Meshkov; V. N. Penkin; V. I. Romantsevich; M. B. Uspenskii; R. V. Chernov

doi:10.1134/S1063784216100157

Analysis of reliability of semiconductor emitters with different designs of cavities

Авторы: Ivanov A.V.¹, Kurnosov V.D.¹, Kurnosov K.V.¹, Kurnyavko Y.V.¹, Lobintsov A.V.¹, Meshkov A.S.¹, Penkin V.N.¹, Romantsevich V.I.¹, Uspenskii M.B.¹, Chernov R.V.¹
Учреждения:
1. Stelmakh Polyus Research Institute
Выпуск: Том 61, № 10 (2016)
Страницы: 1525-1530
Раздел: Solid State Electronics
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7842/article/view/198241
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216100157
ID: 198241

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

We have reported on the results of analysis of the operating time of conventional laser diodes and diodes with noninjecting output sections. The reasons for shorter operating time of diodes with a single anti-reflection face of the cavity compared to diodes with two protecting coatings and emitters equipped with a fiber Bragg grating have been considered.