Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

The production of superlattices with pseudomorphically strained quantum wells (QWs) {InxGa1–xAs/GaAs} grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates with (100), (110), and (111)A crys-tallographic surface orientations is reported. The quality of the crystal structure of epitaxial samples is assessed using the atomic force microscopy of their surface. The manifestation of a piezoelectric field in the photoluminescence spectra is reported.

About the authors

E. A. Klimov

Mokerov Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences; State Scientific Center of the Russian Federation Joint Stock Company NPO “Orion,”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Moscow, 117105 Russia; Moscow, 111538, Russia

S. S. Pushkarev

Mokerov Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Moscow, 117105 Russia

A. N. Klochkov

National Research Nuclear University “MEPhI,”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Moscow, 115409 Russia

M. O. Mozhaeva

State Scientific Center of the Russian Federation Joint Stock Company NPO “Orion,”

Author for correspondence.
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Moscow, 111538, Russia

References

  1. Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. Lateral piezoelectric fields in strained semiconductor heterostructures // Physical Review B. 1994. V. 50. I. 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111
  2. Smith D.L., Mailhiot C. Theory of semiconductor superlattice electronic structure // Reviews of Modern Physics. 1990. V. 62. № 1. P. 173–234. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.62.173
  3. Takeuchi H., Yanagisawa J., Hasegawa T., Nakayama M. Enhancement of terahertz electromagnetic wave emission from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 081916. https://doi.org/10.1063/1.2976436
  4. Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С., Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д., Климов Е.А., Васильевский И.С., Мальцев П.П. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 4. С. 529–534. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44347.8408
  5. Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П., Пушкарёв С.С. Генерация терагерцового излучения низкотемпературными мультислойными эпитаксиальными пленками i-LT-GaAs/n-GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 2. С. 77–84. https://doi.org/10.17587/nmst.19.77-84
  6. Галиев Г.Б., Грехов М.М., Китаева Г.Х., Климов Е.А., Клочков А.Н., Коленцова О.С., Корниенко В.В., Кузнецов К.А., Мальцев П.П., Пушкарев С.С. Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411)A // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 3. С. 322–330. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44201.8312
  7. Vaccaro P.O., Takahashi M., Fujita K., Watanabe T. Growth by molecular beam epitaxy and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum wells on GaAs (111)A substrates // Journal of Applied Physics. 1994. V. 76. P. 8037–8041. https://doi.org/10.1063/1.357923
  8. Khoo E.A., David J.P.R., Woodhead J., Grey R., Rees G. Photoluminescence linewidths of piezoelectric quantum wells // Applied Physics Letters. 1999. V. 75. P. 1929–1931. https://doi.org/10.1063/1.124874
  9. Chin A., Lee K. High quality Al(Ga)As/GaAs/Al(Ga)As quantum wells grown on (111)A GaAs substrates // Applied Physics Letters. 1996. V. 68. P. 3437–3439. https://doi.org/10.1063/1.115785
  10. Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах // ФТП. 2006. Вып. 12. С. 1479–1483.
  11. Romanato F., Napolitani E., Carnera A., Drigo A.V., Lazzarini L., Salviati G., Ferrari C., Bosacchi A., Franchi S. Strain relaxation in graded composition InxGa1–xAs/GaAs buffer layers // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 4748–4755. https://doi.org/10.1063/1.371439
  12. Choi H., Jeong Y., Cho J., Jeon M.H. Effectiveness of non-linear graded buffers for In(Ga,Al)As metamorphic layers grown on GaAs (001) // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. P. 1091–1095. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.10.116

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2.

Download (69KB)
3.

Download (2MB)
4.

Download (275KB)
5.

Download (242KB)

Copyright (c) 2023 Е.А. Климов, С.С. Пушкарёв, А.Н. Клочков, М.О. Можаева

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».