Микроэлектроника

ISSN (print): 0544-1269

Свидетельство о регистрации СМИ: № 0110136 от 04.02.1993

Учредители: Российская академия наук, Физико-технологический ин-тут РАН

Главный редактор: Красников Геннадий Яковлевич, академик РАН, д-р техн. наук

Периодичность / доступ: 6 выпусков в год / подписка

Входит в: Белый список (2 уровень), перечень ВАК, РИНЦ

Журнал посвящён технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), травлении, легировании, осаждении и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Значительное место отводится пучковым и плазменным технологиям, в том числе молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических принципов, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и твердотельные кубиты для квантовых вычислений.

Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений и производственно-контрольных лабораторий, а также для аспирантов.

Журнал основан в 1972 году.

Текущий выпуск

Открытый доступ Открытый доступ  Доступ закрыт Доступ предоставлен  Доступ закрыт Только для подписчиков

Том 54, № 5 (2025)

Обложка

Весь выпуск

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

ДИАГНОСТИКА

Метод тестирования радиационной стойкости материалов полупроводниковой электроники в электронном микроскопе
Киселевский В.А., Татаринцев А.А.
Аннотация
Облучение электронами может использовать как имитация облучения гамма-излучения. В работе представлен метод расчета поглощенной энергии электронов в различных материалах в широком диапазоне атомных номеров и пересчета этой энергии в поглощенную дозу, которая эквивалентна керме гамма-излучения. Основными параметрами представленной модели являются эффективный атомный номер мишени Z eff , ее плотность ρ и энергия электронов E 0 . Для пересчета поглощенной дозы также необходимо учитывать поток электронов F , а также толщину рассматриваемого слоя. Проведено сравнение результатов воздействия облучения электронами с энергией в несколько кэВ и гамма-излучения.
Микроэлектроника. 2025;54(5):347-356
pages 347-356 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ: УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ И РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА
Ломов А.А., Тарасов М.А., Щербачев К.Д., Татаринцев А.А., Чекушкин А.М.
Аннотация
Представлены результаты комплексных исследований температурной зависимости электрического сопротивления тонких магнетронных пленок Al от их структурных характеристик: морфологии, шероховатости поверхности, микроструктуры и плотности. С целью установления фундаментальной связи удельного сопротивления со структурными особенностями пленок они осаждались на стандартные подложки Si(111) в режиме двухстадийного роста с формированием гомобуферных слоев в температурном диапазоне от 293 до 800 К. Структурная характеризация образцов была выполнена методами сканирующей силовой и электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии. Показано, что величину и температурную зависимость удельного сопротивления пленок алюминия можно изменять за счет варьирования условий роста гомобуферного слоя, позволяющего осаждать пленки с различным профилем плотности по толщине. Установлено, что магнетронная 120 нм пленка алюминия на 700 К гомобуферном слое с постоянной плотностью 2.66 г/см 3 имеет удельное сопротивление ρ RT = 2.69 мкОм  см и Т с = 1.22 К. Пленки Al с переменной плотностью имели остаточное сопротивление  30 мкОм  см. Основной вклад в сопротивление таких пленок дают межзеренные области с меньшей плотностью, что надежно фиксируется методом рентгеновской рефлектометрии.
Микроэлектроника. 2025;54(5):357-370
pages 357-370 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)

КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Прецизионная реконструкция поляризационных квантовых состояний в условиях зашумленных измерений
Голышев И.К., Богданова Н.А., Богданов Ю.И., Лукичев В.Ф.
Аннотация
Представлен алгоритм формирования адекватной модели реконструкции поляризационных квантовых состояний в условиях шума. Для корректного анализа статистики считывания квантовых состояний применена математическая модель нечетких измерений. Показано, что разработанный метод позволяет существенно повысить точность восстановления поляризационных состояний в условиях влияния квантовых шумов и процессов декогерентизации.
Микроэлектроника. 2025;54(5):371-380
pages 371-380 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)

МОДЕЛИРОВАНИЕ

О корректности модельного описания состава плазмы в смеси SF6 + He + O2
Мяконьких А.В., Кузьменко В.О., Ефремов А.М., Руденко К.В.
Аннотация
Проведено комплексное (экспериментальное и модельное) исследование состава нейтральной и заряженной компонент плазмы SF 6 + He + O 2 при варьировании соотношения He/O 2 . Выявлены ключевые плазмохимические процессы, формирующие стационарные концентрации атомов фтора и кислорода в условиях избытка фторсодержащих частиц. Показано, что скорректированная (уточненная по результатам последних работ и дополненная ранее не учитываемыми процессами) кинетическая схема обеспечивает удовлетворительное согласие расчетных концентраций атомов с величинами, полученными по результатам оптико-спектральной диагностики плазмы.
Микроэлектроника. 2025;54(5):381-392
pages 381-392 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)

ПРИБОРЫ

Структура и материалы FinFET транзисторов
Абдуллаев Д.А., Колчина Л.М., Милованов Р.А.
Аннотация
В работе представлен комплексный обзор развития технологий трехмерных транзисторов FinFET. Рассмотрены особенности формирования FinFET транзисторов различных производителей, а также применяемые в них материалы и основные подходы к усовершенствованию технологий их производства. На основе открытых источников проведен анализ и сравнение основных характеристик FinFET транзисторов выполненных с технологическими нормами производства – от 22 до 3 нм.
Микроэлектроника. 2025;54(5):393-428
pages 393-428 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)

ТЕХНОЛОГИИ

Обработка пластин карбида кремния связанным алмазным инструментом
Кондратенко В.С., Исаев А.А., Кадомкин В.В., Бирюков Г.М., Бородынкин И.И., Тамбовский А.Д.
Аннотация
В статье рассмотрены результаты, полученные в процессе грубого, тонкого и финишного шлифования пластин поликристаллического и монокристаллического карбида кремния с использованием новых типов связанного алмазного инструмента на органической связке и нового состава смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ).
Микроэлектроника. 2025;54(5):429-437
pages 429-437 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)
О влиянии различных кислородсодержащих газов на состав плазмы трифторметана
Ефремов А.М., Корякова Е.Е., Бетелин В.Б., Квон K.H.
Аннотация
Проведено модельное исследование состава нейтральной компоненты плазмы в смесях CHF 3 + O 2 , CHF 3 + СO и CHF 3 + СO 2 в условиях индукционного 13.56 МГц разряда, возбуждаемого при постоянном давлении (6 мтор) и вкладываемой мощности (700 Вт). Показано, что влияние добавок CO и CO 2 существенно отличается от «классического» эффекта кислорода, сопровождающегося резким увеличением химической активности и снижением полимеризационной способности плазмы. Достоверность полученных данных подтверждена удовлетворительным согласием расчетных концентраций атомов фтора с результатами актинометрического эксперимента.
Микроэлектроника. 2025;54(5):438-446
pages 438-446 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)
ДЕФОРМИРОВАНИЕ МЕМБРАНЫ МЭМС-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С НАНЕСЕННЫМ НАПРЯЖЕННЫМ СЛОЕМ
Амеличев В.В., Генералов С.С., Годовицын И.В., Поломошнов С.А., Сауров М.А.
Аннотация
С использованием метода Ритца проведен расчет максимального прогиба мембраны и величины механических напряжений в зависимости от геометрических размеров мембраны и параметров нанесенного слоя SiO 2 со сжимающими механическими напряжениями. Проведена сравнительная оценка величины деформации и механических напряжений в структуре преобразователя абсолютного давления с радиусом поликремниевой мембраны 50 мкм и в “сэндвичной” структуре МЭМС-преобразователя акустического давления, состоящей из слоев поликремния и осажденного SiO 2, с радиусом мембраны 300 мкм.
Микроэлектроника. 2025;54(5):447-458
pages 447-458 views
PDF
(Rus)
JATS XML
(JATS XML)

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».