Отправить статью по E-mail 
СТАБИЛИЗАЦИЯ СОСТОЯНИЙ МЕМРИСТОРНОЙ ЯЧЕЙКИ В ПРОЦЕССЕ НАЧАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЙ ПОСЛЕ ФОРМОВКИ
- Авторы: Фадеев А.В.1, Руденко К.В.1
-
Учреждения:
- НИЦ “Курчатовский Институт” – ФТИАН им. К.А. Валиева
- Выпуск: Том 54, № 3 (2025)
- Страницы: 224-231
- Раздел: МЕМРИСТОРЫ
- URL: https://journal-vniispk.ru/0544-1269/article/view/304934
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126925030044
- EDN: https://elibrary.ru/pxfokm
- ID: 304934
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
На основании самосогласованной модели, описывающей разрыв/восстановление проводящего канала – филамента мемристорной ячейки на основе транспорта кислородных вакансий в оксидах переходных металлов, исследован процесс его стабилизации в процессе начальных переключений из низкоомного состояния в высокоомное и обратно.
Об авторах
А. В. Фадеев
НИЦ “Курчатовский Институт” – ФТИАН им. К.А. Валиева
Автор, ответственный за переписку.
Email: AlexVFadeev@gmail.com
Москва, Россия
К. В. Руденко
НИЦ “Курчатовский Институт” – ФТИАН им. К.А. Валиева
Email: rudenko@ftian.ru
Москва, Россия
Список литературы
- Fadeev A.V., Rudenko K.V. Filament-based memristor switching model // Microelectron. Eng. 2024. V. 289 P. 112179.
- Fadeev A.V., Rudenko K.V. Evolution of the Current–Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor, Russian Microelectronics. 2024, V. 53(4). P. 297–302.
- Permiakova O.O., Rogozhin A.E., Miakonkikh A.V., Smirnova E.A., Rudenko K.V. Transition between resistive switching modes in asymmetric HfO2-based structures. // Microelectron. Eng. 2023. V. 275. P. 111983.
- Zhang K., Ganesh P., Cao Y. Deterministic Conductive Filament Formation and Evolution for Improved Switching Uniformity in Embedded Metal-Oxide-Based Memristors─A Phase-Field Study. ACS // Appl. Mater. Interfaces. 2023. V. 15(17). P. 21219–21227.
- Roldán J.B., Miranda E., Maldonado D., Mikhaylov A.N. et al Variability in resistive memories // Adv. Intell. Syst. 2023. V. 5(6). P. 2200338.
- Mikhaylov A., Belov A., Korolev D., Antonov I., Kotomina V., Kotina A., Gryaznov E., Sharapov A., Koryazhkina M., Kryukov R., Zubkov S., Sushkov A., Pavlov D., Tikhov S., Morozov O., Tetelbaum D. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Adv. Mater. Technol. 2020. V. 5. P. 1900607. https://doi.org/10.1002/admt.201900607
- Zhang Y., Mao G.Q., Zhao X. et al. Evolution of the conductive filament system in HfO2-based memristors observed by direct atomic-scale imaging // Nat. Commun. 2021. V.12. P. 7232.
- Privitera S., Bersuker G., Butcher B., Kalantarian A., Lombardo S., Bongiorno C., Geer R., Gilmer D.C., Kirsch P.D. Microscopy study of the conductive filament in HfO2 resistive switching memory devices // Microelectron. Eng. 2013. V. 109. P. 75–78.
- Marchewka A., Waser R. and Menzel S. Physical simulation of dynamic resistive switching in metal oxides using a Schottky contact barrier model. // 2015. International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Washington DC. USA. 2015. P. 297–300.
- Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. // Third ed., John Wiley & Sons, New Jersey, 2007.
Дополнительные файлы
