Том 54, № 6 (2025)

Предложена модель расчета протоколов квантовой томографии ионных кудитов, которая позволяет учитывать ошибки в задании параметров преобразований при проведении измерений. Представлено сравнение точности томографии ионных кудитов в условиях задания параметров преобразований с ошибками для стандартного метода и метода нечетких квантовых измерений. Продемонстрировано радикальное преимущество модели нечетких квантовых измерений по сравнению со стандартной моделью. Показано, что разработанная модель позволяет получить набор двухуровневых преобразований квантовых состояний кудитов, обеспечивающий реализацию заданного протокола квантовых измерений.

Методами ИК-Фурье-спектроскопии и микроиндентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) AZ nLOF2020 и AZ nLOF2070 толщиной ~ 6.0 мкм, нанесенные на поверхность пластин монохристаллического кремния методом центрифугирования. Показано, что после облучения светом с λ = 404 нм в течение 106 с и последующей сушки при 115 °С длительностью 60 с в отражательно-абсорбционных спектрах фоторезистивных пленок наблюдается смещение в высокоэнергетическую область максимумов интерференционных полос. Оно вызвано уменьшением толщины ФР пленки, обусловленным испарением растворителя в процессе сушки. Эти процессы протекают более интенсивно в пленках AZ nLOF2020, в которых смещение интерференционных полос составляло ~ 9%, в то время как в пленках AZ nLOF2070 оно не достигало 1%. Показано, что полосы поглощения с максимумами при 1070 и 1100 см⁻¹, связанные с асимметричными и симметричными валентными колебаниями C-O-C связей в алифатических эфирах, и при 2940 см⁻¹, обусловленные асимметричными валентными колебаниями CH₃ связей, связаны с растворителем. Установлено, что микротвердость пленок серии AZ nLOF20XX увеличивается после стабилизирующей сушки, что вызвано сшиванием молекул фенол-формальдегидной смолы – основы фоторезиста. Полученные экспериментальные данные объяснены с учетом упорядочения структуры фоторезистивной пленки вблизи границы раздела ФР/кремний вследствие ориентации молекул и наличия в пленках AZ nLOF2020 большей концентрации остаточного растворителя.

Исследованы структурные и мемристичные свойства слоистых образцов Cu/ППК–PbTe/ITO на основе парилена (поли-n-ксилилен, ППК) с наночастицами PbTe. Обнаружено необычное влияние света на характер резистивного переключения (РП) — в высокоомном состоянии проводимость мемристора растет при подсветке, тогда как, в низкоомном состоянии наблюдается отрицательная фотопроводимость (т.е. заметное ее уменьшение) при циклических РП. Предложена качественная модель, описывающая механизм переключения при оптическом возбуждении и в его отсутствии. Характеристики РП и возможность управления ими с помощью освещения демонстрируют возможность использования гибридных ППК-мемристоров в качестве сенсорных и синаптических элементов при разработке нейроморфных систем компьютерного зрения.

Особенностью микроэлектронного производства являются высокие требования к: чистоте сырья и конечных продуктов, технологическим процессам, оборудованию и помещениям. Зачастую это достигается применением агрессивных реагентов, что требует оборудования и технологической оснастки из химически стойких материалов. Таковыми являются фторполимеры (ФП), изделия из которых используются в технологических процессах микроэлектронного производства. Длительное время требуемые ФП-изделия поставлялись из-за рубежа, но сейчас они под санкциями и возникла настоятельная потребность организации их производства в РФ. Естественно, необходим анализ отечественной фторполимерной науки и производства ФП-изделий для устранения возникших проблем. Успех мероприятия во многом зависит от кооперации, взаимопонимания специалистов по микроэлектронике и фторполимерным материалам, на которых и ориентирован обзор. Особое внимание уделено изделиям для фильтрации агрессивных реагентов, очистки воды и воздуха, отбора и хранения проб, проведения реакций с особо чистыми химическими веществами.

В интегральном магнитооптическом отклике трехслойной структуры Co(6 нм)/Ru(10 нм)/Co(10 нм)/Si (100) выделены вклады различных отдельных слоев кобальта. Разработан и описан метод, который позволяет на основе анализа закономерностей магнитооптических зависимостей анализировать магнитные свойства отдельных магнитных слоев трехслойных систем, выделяя направления магнитной анизотропии. Развитый метод позволил установить, что свойства магнитной анизотропии пленок кобальта в многослойной структуре зависят от свойств буферного слоя и подложки, взаимодействия на интерфейсах, механических напряжений, а также определить направления осей магнитной анизотропии в каждом из слоев.

В работе исследуются ферромагнитные пленки с сильной одноосной анизотропией типа «легкая плоскость» и обосновывается, что парные наноразмерные перфорации в таких пленках могут быть использованы в качестве ячеек памяти для записи и хранения данных в троичной системе исчисления. Изучена проблема считывания состояния ячеек такого типа, а также предложен подход к ее решению, заключающийся в измерении отклика системы на пикосекундный импульс внешнего магнитного поля. Получены параметры системы, при которых величина данного отклика оказывается наибольшей, а также проведены оценки этой величины как аналитическими, так и численными методами.