Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4 H -SiC thyristors

S. N. Yurkov; T. T. Mnatsakanov; M. E. Levinshtein; A. G. Tandoev; J. W. Palmour

doi:10.1134/S1063782617020257

Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4H-SiC thyristors

Авторы: Yurkov S.N.¹, Mnatsakanov T.T.¹, Levinshtein M.E.², Tandoev A.G.¹, Palmour J.W.³
Учреждения:
1. All-Russia Electrotechnical Institute
2. Ioffe Physical–Technical Institute
3. Cree Inc.
Выпуск: Том 51, № 2 (2017)
Страницы: 225-231
Раздел: Physics of Semiconductor Devices
URL: https://journal-vniispk.ru/1063-7826/article/view/199479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020257
ID: 199479

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The impact of non-1D effects caused by the spread of the gate current in the base layer on the gate switch-on current in 4H-SiC thyristors is considered. It is shown that a new switching mechanism implemented in 4H-SiC thyristors results in the dependence of the gate switch-on current on the thyristor parameters, with this dependence being fundamentally different from that in conventional silicon thyristors.