On Estimates of the Electron Affinity of Silicon-Carbide Polytypes and the Band Offsets in Heterojunctions Based on These Polytypes


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Two different procedures for estimating the electron affinity of SiC polytypes and the interrelation of these procedures with the results of ab initio calculations are discussed. Simple corrections to the Shockley–Anderson rules for the constructions of band diagrams of heterojunctions are proposed.

Авторлар туралы

S. Davydov

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019