Информация об авторе

Terukov, E. I.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 2 (2016) Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors Composition and optical properties of amorphous a-SiOx:H films with silicon nanoclusters
Том 50, № 2 (2016) Physics of Semiconductor Devices Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon
Том 50, № 4 (2016) Physics of Semiconductor Devices On the formation of silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix a-SiOx:H (0 < x < 2) with time-modulated dc magnetron plasma
Том 50, № 5 (2016) Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon
Том 50, № 7 (2016) Electronic Properties of Semiconductors Electron exchange between tin impurity U– centers in PbSzSe1–z alloys
Том 50, № 8 (2016) Surfaces, Interfaces, and Thin Films Electrical, optical, and photoluminescence properties of ZnO films subjected to thermal annealing and treatment in hydrogen plasma
Том 50, № 9 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Synthesis of ZnO-based nanostructures for heterostructure photovoltaic cells
Том 51, № 1 (2017) Electronic Properties of Semiconductors Investigations of CuFeS2 semiconductor mineral from ocean rift hydrothermal vent fields by Cu NMR in a local field
Том 51, № 4 (2017) Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors Electron exchange between neutral and ionized impurity iron centers in vitreous arsenic selenide
Том 51, № 9 (2017) Physics of Semiconductor Devices Degradation of micromorphous thin-film silicon (α-Si/μc-Si) solar modules: Evaluation of seasonal efficiency based on the data of monitoring
Том 52, № 2 (2018) Spectroscopy, Interaction with Radiation Effect of Heat and Plasma Treatments on the Photoluminescence of Zinc-Oxide Films
Том 52, № 6 (2018) Electronic Properties of Semiconductors On the Structure of the Mössbauer Spectra of 119mSn Impurity Atoms in Lead Chalcogenides under Conditions of the Radioactive Equilibrium of 119mTe/119Sb Isotopes
Том 52, № 7 (2018) Physics of Semiconductor Devices Study of Deep Levels in a HIT Solar Cell
Том 52, № 7 (2018) Physics of Semiconductor Devices Investigation of the Characteristics of Heterojunction Solar Cells Based on Thin Single-Crystal Silicon Wafers
Том 52, № 8 (2018) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Features of 63,65Cu NMR Spectra in the Local Field of Samples of CuFeS2 Semiconductor Mineral from Oceanic Sulfide Deposits
Том 52, № 10 (2018) Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors Effect of the Temporal Characteristics of Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase on ncl-Si Growth in an a-SiOx:H matrix (\({{C}_{{{{{\text{O}}}_{{\text{2}}}}}}}\) = 15.5 mol %)
Том 52, № 13 (2018) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures New Manufacturing Approaches to Texture Formation and Thermal Expansion Matching in the Design of Highly Efficient Silicon Solar Photoconverters
Том 53, № 5 (2019) Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors Antisite Defects in Ge–Te and Ge–As–Te Semiconductor Glasses
Том 53, № 8 (2019) Physics of Semiconductor Devices Sensing Amorphous/Crystalline Silicon Surface Passivation by Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy of Amorphous Silicon on Glass
Том 53, № 11 (2019) Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors Formation of ncl-Si in the Amorphous Matrix a-SiOx:H Located near the Anode and on the Cathode, Using a Time-Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase (\({{{\text{C}}}_{{{{{\text{O}}}_{2}}}}}\) = 21.5 mol %)

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».