Информация об авторе

Cirlin, G. E.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 5 (2016) Physics of Semiconductor Devices Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range
Том 50, № 10 (2016) Physics of Semiconductor Devices Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures
Том 50, № 11 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon
Том 50, № 11 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires
Том 50, № 12 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires
Том 50, № 12 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN
Том 50, № 12 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Polarization of the photoluminescence of quantum dots incorporated into quantum wires
Том 51, № 4 (2017) Physics of Semiconductor Devices Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme
Том 51, № 11 (2017) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate
Том 52, № 1 (2018) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 GaP/Si(111) Nanowire Crystals Synthesized by Molecular-Beam Epitaxy with Switching between the Hexagonal and Cubic Phases
Том 52, № 1 (2018) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 Ultrafast Dynamics of Photoinduced Electron–Hole Plasma in Semiconductor Nanowires
Том 52, № 4 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, June 26–30, 2017. Optoelectronics, Optical Properties Hybrid GaAs/AlGaAs Nanowire—Quantum dot System for Single Photon Sources
Том 52, № 4 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, June 26–30, 2017. Transport In Heterostructures Core-Shell III-Nitride Nanowire Heterostructure: Negative Differential Resistance and Device Application Potential
Том 52, № 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Characterization Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate
Том 52, № 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Characterization The Features of GaAs Nanowire SEM Images
Том 52, № 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Characterization GaAs Wurtzite Nanowires for Hybrid Piezoelectric Solar Cells
Том 52, № 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Technology MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer
Том 52, № 12 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Solar Cell Based on Core/Shell Nanowires
Том 52, № 12 (2018) Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates
Том 52, № 14 (2018) Infrared Microwave Phenomena in Nanostructures Effect of the Conductive Channel Cut-Off on Operation of n+–n–n+ GaN NW-Based Gunn Diode
Том 52, № 14 (2018) Nanostructure Devices Electromechanical Switch Based on InxGa1 –xAs Nanowires
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY Microlens-Enhanced Substrate Patterning and MBE Growth of GaP Nanowires
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY Self-Catalyzed MBE-Grown GaP Nanowires on Si(111): V/III Ratio Effects on the Morphology and Crystal Phase Switching
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. QUANTUM WELLS AND QUANTUM DOTS Structural and Optical Properties of Wurtzite AlGaAs Nanowires Grown by MBE on Si(111) Substrate
Том 53, № 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 Nonradiative Energy Transfer in Hybrid Nanostructures with Varied Dimensionality

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».