Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 11 (2019) Structure and Electrical Properties of (ZnO/SiO2)25 Thin Films
Volochaev M., Kalinin Y., Kashirin M., Makagonov V., Pankov S., Bassarab V.
Том 53, № 11 (2019) Structure and Optical Properties of Chalcogenide Glassy Semiconductors of the As–Ge–Se System
Isayev A., Mekhtiyeva S., Mammadova H., Alekberov R.
Том 50, № 1 (2016) Structure and optical properties of ZnO with silver nanoparticles
Lyadov N., Gumarov A., Kashapov R., Noskov A., Valeev V., Nuzhdin V., Bazarov V., Khaibullin R., Faizrakhmanov I.
Том 53, № 3 (2019) Structure and Properties of Gallium-Oxide Films Produced by High-Frequency Magnetron-Assisted Deposition
Kalygina V., Lygdenova T., Novikov V., Petrova Y., Tsymbalov A., Yaskevich T.
Том 51, № 13 (2017) Structure and Properties of Nanostructured YBa2Cu3O7–δ, BiFeO3, and Fe3O4
Gadzhimagomedov S., Alikhanov N., Emirov R., Palchaev D., Murlieva Z., Rabadanov M., Sadykov S., Khamidov M., Hashafa A.
Том 51, № 3 (2017) Structure and properties of nanostructured ZnO arrays and ZnO/Ag nanocomposites fabricated by pulsed electrodeposition
Kopach V., Klepikova K., Klochko N., Khrypunov G., Korsun V., Lyubov V., Kirichenko M., Kopach A.
Том 52, № 7 (2018) Structure and Properties of Thin Graphite-Like Films Produced by Magnetron-Assisted Sputtering
Vinogradov A., Grudinkin S., Besedina N., Koniakhin S., Rabchinskii M., Eidelman E., Golubev V.
Том 53, № 3 (2019) Structure and Properties of Zn-Implanted Si Near-Surface Layer Modification Depending on Irradiation Fluence of 132Xe26+ Ions with Energy of 167 MeV
Privezentsev V., Kulikauskas V., Skuratov V., Zilova O., Burmistrov A., Presnyakov M., Goryachev A.
Том 53, № 6 (2019) Structure and Thermoelectric Properties of CoSi-Based Film Composites
Kuznetsova V., Novikov S., Nichenametla C., Calvo J., Wagner-Reetz M.
Том 51, № 8 (2017) Structure of Bi2Se0.3Te2.7 alloy plates obtained by crystallization in a flat cavity by the Bridgman method
Demcheglo V., Voronin A., Tabachkova N., Bublik V., Ponomaryov V.
Том 51, № 7 (2017) Structure of bismuth films obtained using an array of identically oriented single-crystal bismuth islands preliminarily grown on a substrate
Grabov V., Demidov E., Ivanova E., Kablukova N., Krushelnitckii A., Senkevich S.
Том 53, № 11 (2019) Structure of Se95As5 Chalcogenide Glassy Semiconductor Doped by EuF3 Impurity
Garibova S., Isayev A., Mekhtiyeva S., Atayeva S.
Том 51, № 7 (2017) Structure of the Cu2Se compound produced by different methods
Ivanov A., Sorokin A., Panchenko V., Tarasova I., Tabachkova N., Bublik V., Akchurin R.
Том 53, № 7 (2019) Structure of the Energy Spectrum of Holes in IV–VI Materials from a Different Viewpoint
Prokofieva L., Konstantinov P.
Том 51, № 6 (2017) Structure of thermoelectric films of higher manganese silicide on silicon according to electron microscopy data
Orekhov A., Kamilov T., Ibragimova B., Ivakin G., Klechkovskaya V.
Том 53, № 9 (2019) Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate
Sushkov A., Pavlov D., Shengurov V., Denisov S., Chalkov V., Baidus N., Rykov A., Kryukov R.
Том 51, № 12 (2017) Study and simulation of electron transport in Ga0.5ln0.5Sb based on Monte Carlo method
El Ouchdi A., Bouazza B., Belhadji Y., Massoum N.
Том 52, № 7 (2018) Study of Current Flow Mechanisms in a CdS/por-Si/p-Si Heterostructure
Tregulov V., Litvinov V., Ermachikhin A.
Том 52, № 7 (2018) Study of Deep Levels in a HIT Solar Cell
Shilina D., Litvinov V., Maslov A., Mishustin V., Terukov E., Titov A., Vikhrov S., Vishnyakov N., Gudzev V., Ermachikhin A.
Том 50, № 7 (2016) Study of deep levels in GaAs p–i–n structures
Sobolev M., Soldatenkov F., Kozlov V.
Том 51, № 2 (2017) Study of silicon doped with zinc ions and annealed in oxygen
Privezentsev V., Kirilenko E., Goryachev A., Batrakov A.
Том 53, № 16 (2019) Study of Structural Modification of Composites with Ge Nanoclusters by Optical and Electron Microscopy Methods
Astankova K., Gorokhov E., Azarov I., Volodin V., Latyshev A.
Том 53, № 9 (2019) Study of the Auger Recombination Energy Threshold in a Series of Waveguide Heterostructures with HgTe/Cd0.7Hg0.3Te QWs Near 14 μm
Utochkin V., Aleshkin V., Dubinov A., Gavrilenko V., Kulikov N., Fadeev M., Rumyantsev V., Mikhailov N., Dvoretskii S., Morozov S.
Том 50, № 5 (2016) Study of the correlation properties of the surface structure of nc-Si/a-Si:H films with different fractions of the crystalline phase
Alpatov A., Vikhrov S., Kazanskii A., Lyaskovskii V., Rybin N., Rybina N., Forsh P.
Том 51, № 8 (2017) Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6H-SiC (0001)
Davydov V., Usachov D., Lebedev S., Smirnov A., Levitskii V., Eliseyev I., Alekseev P., Dunaevskiy M., Vilkov O., Rybkin A., Lebedev A.
1226 - 1250 из 1443 результатов << < 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».