Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 3 (2017) Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates
Galiev G., Grekhov M., Kitaeva G., Klimov E., Klochkov A., Kolentsova O., Kornienko V., Kuznetsov K., Maltsev P., Pushkarev S.
Том 53, № 5 (2019) The Band-Structure Parameters of Bi1 –xSbx (0 ≤ x ≤ 0.15) Thin Films on Substrates with Different Thermal-Expansion Coefficients
Suslov A., Grabov V., Komarov V., Demidov E., Senkevich S., Suslov M.
Том 50, № 10 (2016) The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4° layer and Cs/SiC/Si(111)-4° interface
Benemanskaya G., Dementev P., Kukushkin S., Lapushkin M., Osipov A., Senkovskiy B.
Том 53, № 16 (2019) The Cavity-Effect in Site-Controlled GaN Nanocolumns with InGaN Insertions
Kazanov D., Evropeytsev E., Shubina T.
Том 51, № 7 (2017) The dependence of the microstructure and thermoelectric properties of germanium-doped higher manganese silicide crystals
Orekhov A., Klechkovskaya V., Rakova E., Solomkin F., Novikov S., Bochkov L., Isachenko G.
Том 53, № 1 (2019) The Effect of Crystallization Conditions on the Spectral Characteristics of Tetraphenylporphyrin Thin Films
Elistratova M., Zakharova I., Li G., Dubrovin R., Sreseli O.
Том 52, № 11 (2018) The Effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures
Kalentyeva I., Vikhrova O., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A., Antonov I.
Том 50, № 13 (2016) The effect of the electron–phonon interaction on reverse currents of GaAs-based p–n junctions
Zhukov A.
Том 53, № 12 (2019) The Effect of Various Annealing Cooling Rates on Electrical and Morphological Properties of TiO2 Thin Films
Asalzadeh S., Yasserian K.
Том 51, № 12 (2017) The effects of electron irradiation and thermal dependence measurements on 4H-SiC Schottky diode
Ganiyev S., Azim Khairi M., Ahmad Fauzi D., Abdullah Y., Hasbullah N.
Том 50, № 12 (2016) The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells
Aleshkin V., Gavrilenko L., Gaponova D., Krasil’nik Z., Kryzhkov D.
Том 52, № 5 (2018) The Features of GaAs Nanowire SEM Images
Soshnikov I., Kotlyar K., Bert N., Kirilenko D., Bouravleuv A., Cirlin G.
Том 53, № 4 (2019) The Growth of InAsxSb1 –x Solid Solutions on Misoriented GaAs(001) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy
Emelyanov E., Vasev A., Semyagin B., Yesin M., Loshkarev I., Vasilenko A., Putyato M., Petrushkov M., Preobrazhenskii V.
Том 53, № 5 (2019) The Hall and Seebeck Effects in Bismuth Thin Films on Mica Substrates in the Temperature Range of 77–300 K
Komarov V., Grabov V., Suslov A., Kablukova N., Suslov M.
Том 52, № 5 (2018) The Impact of the Substrate Material on the Optical Properties of 2D WSe2 Monolayers
Schneider L., Lippert S., Kuhnert J., Renaud D., Kang K., Ajayi O., Halbich M., Abdulmunem O., Lin X., Hassoon K., Edalati-Boostan S., Kim Y., Heimbrodt W., Yang E., Hone J., Rahimi-Iman A.
Том 53, № 16 (2019) The Indirect Excitons Contribution to the Polarizability of a Dielectric Nanoparticle
Pokutnyi S., Dzyuba V., Amosov A.
Том 53, № 16 (2019) The Influence of the Crystal Structure of the GaSb–InAs Matrix on the Formation of InSb Quantum Dots
Parkhomenko Y., Dement’ev P., Moiseev K.
Том 50, № 6 (2016) The modification of BaCe0.5Zr0.3Y0.2O3–δ with copper oxide: Effect on the structural and transport properties
Lyagaeva Y., Vdovin G., Nikolaenko I., Medvedev D., Demin A.
Том 52, № 14 (2018) The Oscillations in ESR Spectra of Mn0.11Hg0.89Te in X- and Q-Bands
Shestakov A., Fazlizhanov I., Yatsyk I., Ibragimova M., Shustov V., Lyadov N., Eremina R.
Том 53, № 16 (2019) The Study of Nanoindentation of Atomically Flat GaAs Surface using the Tip of Atomic-Force Microscope
Prasolov N., Ermakov I., Gutkin A., Solov’ev V., Dorogin L., Konnikov S., Brunkov P.
Том 53, № 13 (2019) The Surface Preparation of Thermoelectric Materials for Deposition of Thin-Film Contact Systems
Shtern M., Karavaev I., Shtern Y., Kozlov A., Rogachev M.
Том 51, № 2 (2017) The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures n-InGaAs/GaAs after IR-illumination
Arapov Y., Gudina S., Klepikova A., Neverov V., Harus G., Shelushinina N., Yakunin M.
Том 53, № 5 (2019) The Thermoelectric Power of Bi1 –xSbx Films (0 ≤ x ≤ 0.15) on Mica and Polyimide Substrates in the Temperature Range of 77–300 K
Suslov M., Grabov V., Komarov V., Demidov E., Senkevich S., Suslov A.
Том 53, № 13 (2019) The Thermopower and Electron Mobility in Monophase Monocrystalline SmS in a Wide Temperature Range
Popov V., Stepanov N.
Том 50, № 12 (2016) Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors
Tarasova E., Obolenskaya E., Hananova A., Obolensky S., Zemliakov V., Egorkin V., Nezhenzev A., Saharov A., Zazul’nokov A., Lundin V., Zavarin E., Medvedev G.
1326 - 1350 из 1443 результатов << < 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».