Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Selective Epitaxial Growth of III–N Structures Using Ion-Beam Nanolithography
Lundin W., Tsatsulnikov A., Rodin S., Sakharov A., Usov S., Mitrofanov M., Levitskii I., Evtikhiev V.
Raman Spectra of Thick Epitaxial GaN Layers Formed on SiC by the Sublimation Sandwich Method
Anisimov A., Wolfson A., Mokhov E.
Microstructural Evolution of MOVPE Grown GaN by the Carrier Gas
Demir I., Altuntas I., Kasapoğlu A., Mobtakeri S., Gür E., Elagoz S.
Investigation of the Initial Silicon-on-Sapphire Layer Formed by CVD Techniques
Fedotov S., Sokolov E., Statsenko V., Romashkin A., Timoshenkov S.
Predicting the Conditions for the Vapor-Phase Epitaxy of the III–V Compounds
Vigdorovich E.
On the Combined Application of Raman Spectroscopy and Photoluminescence Spectroscopy for the Diagnostics of Multilayer Heterostructures
Plankina S., Vikhrova O., Zvonkov B., Zubkov S., Kriukov R., Nezhdanov A., Pavlov D., Pashen’kin I., Sushkov A.
Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy
Gorshkov A., Volkova N., Pavlov D., Usov Y., Istomin L., Levichev S.
Study of the structure and composition of the strained epitaxial layer in the InAlAs/GaAs(100) heterostructure by transmission electron microscopy
Lovygin M., Borgardt N., Bugaev A., Volkov R., Seibt M.
Optical Estimation of the Carrier Concentration and the Value of Strain in Monolayer Graphene Grown on 4H-SiC
Eliseyev I., Davydov V., Smirnov A., Nestoklon M., Dementev P., Lebedev S., Lebedev A., Zubov A., Mathew S., Pezoldt J., Bokai K., Usachov D.
On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon
Cirlin G., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Kotlyar K., Ilkiv I., Soshnikov I., Kirilenko D., Kryzhanovskaya N.
Improving the functional characteristics of gallium nitride during vapor phase epitaxy
Vigdorovich E.
High-Resistivity Gallium Antimonide Produced by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy
Levin R., Vlasov A., Smirnov A., Pushnyi B.
GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Emelyanov E., Preobrazhenskii V., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (11\(\bar {2}\)0) Sapphire
Yunin P., Drozdov Y., Khrykin O., Grigoryev V.
Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy
Averichkin P., Donskov A., Dukhnovsky M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
Boson Peak Related to Ga Nanoclusters in AlGaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy at Ga-Rich Conditions
Davydov V., Jmerik V., Roginskii E., Kitaev Y., Beltukov Y., Smirnov M., Nechaev D., Smirnov A., Eliseyev I., Brunkov P., Ivanov S.
Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown by MOCVD
Aleshkin V., Baidus N., Dubinov A., Kudryavtsev K., Nekorkin S., Kruglov A., Reunov D.
Investigation of Composition Uniformity in Thickness of GaInAsP Layers Grown on InP Substrates by Vapor-Phase Epitaxy
Gagis G., Levin R., Marichev A., Pushnyi B., Scheglov M., Ber B., Kazantsev D., Kudriavtsev Y., Vlasov A., Popova T., Chistyakov D., Kuchinskii V., Vasil’ev V.
Molecular-Beam Epitaxy of Two-Dimensional GaSe Layers on GaAs(001) and GaAs(112) Substrates: Structural and Optical Properties
Sorokin S., Avdienko P., Sedova I., Kirilenko D., Yagovkina M., Smirnov A., Davydov V., Ivanov S.
Recombination in GaAs pin Structures with InGaAs Quantum-Confined Objects: Modeling and Regularities
Mintairov M., Evstropov V., Mintairov S., Salii R., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures
Lundin W., Tsatsulnikov A., Rodin S., Sakharov A., Mitrofanov M., Levitskii I., Voznyuk G., Evtikhiev V.
Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers
Andreev B., Lobanov D., Krasil’nikova L., Bushuykin P., Yablonskiy A., Novikov A., Davydov V., Yunin P., Kalinnikov M., Skorohodov E., Krasil’nik Z.
Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate
Seredin P., Goloshchapov D., Zolotukhin D., Lenshin A., Mizerov A., Arsentyev I., Leiste H., Rinke M.
Exciton Spectra and Energy Transfer in CdTe/ZnTe Double Quantum Wells Grown by Atomic-Layer Epitaxy
Agekyan V., Chukeev M., Karczewski G., Serov A., Filosofov N., Reznitsky A.
1 - 25 из 30 результатов 1 2 > >> 
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».