Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 50, № 2 (2016)
Photoluminescence properties of thallium-containing GeSe2 and GeSe3 vitreous semiconductors
Babaev A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Investigation of InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers with Slightly Doped Tunnel Junction
Yajie Li , Wang P., Meng F., Yu H., Zhou X., Wang H., Pan J.
PDF
(Eng)
Том 50, № 13 (2016)
Measurements of electrophysical characteristics of semiconductor structures with the use of microwave photonic crystals
Usanov D., Nikitov S., Skripal A., Ponomarev D., Latysheva E.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Investigation of DC and RF Performance of Novel MOSHEMT on Silicon Substrate for Future Submillimetre Wave Applications
Ajayan J., Ravichandran T., Mohankumar P., Prajoon P., Pravin J., Nirmal D.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers
Sokolova Z., Bakhvalov K., Lyutetskiy A., Pikhtin N., Tarasov I., Asryan L.
PDF
(Eng)
Том 52, № 15 (2018)
Measuring the Effective Masses of the Electrical Conductivity and Density of States by Contactless Microwave Means
Usanov D., Postelga A., Gurov K.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Charge transfer in rectifying oxide heterostructures and oxide access elements in ReRAM
Stefanovich G., Pergament A., Boriskov P., Kuroptev V., Stefanovich T.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate
Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I., Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Morozov A., Karakolis P., Dimitrakis P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Relaxation oscillations of superluminescence in a semiconductor caused by recovery of the Fermi distribution of nonequilibrium electrons
Kumekov S., Mustafin A., Mussatay S.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Development of a Physical-Topological Model for the Response of a High-Power Vertical DMOS Transistor to the Effect of Pulsed Gamma-Radiation
Khananova A., Obolensky S.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation
Tarasova E., Khananova A., Obolensky S., Zemlyakov V., Sveshnikov Y., Egorkin V., Ivanov V., Medvedev G., Smotrin D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
InGaAlP/GaAs Injection Lasers of the Orange Optical Range (~600 nm)
Nadtochiy A., Shchukin V., Cherkashin N., Denneulin T., Zhukov A., Maximov M., Gordeev N., Payusov A., Kulagina M., Shernyakov Y., Ledentsov N.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer
Alexeev P., Cirlin G., Reznik R., Kotlyar K., Ilkiv I., Soshnikov I., Lebedev S., Lebedev A., Kirilenko D.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2019)
On the Asymmetric Generation of a Superradiant Laser with a Symmetric Low-Q Cavity
Kocharovsky V., Kukushkin V., Tarasov S., Kocharovskaya E., Kocharovsky V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Determining the Hydrogen Concentration from the Photovoltage of Pd–Oxide–InP MIS Structures
Grebenshchikova E., Salikhov K., Sidorov V., Shutaev V., Yakovlev Y.
PDF
(Eng)
Том 52, № 16 (2018)
Critical Radius of Full Depletion in Semiconductor Nanowires Caused by Surface Charge Trapping
Petrosyan S., Yesayan A., Nersesyan S., Khachatryan V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Makarov A., Tyaginov S., Kaczer B., Jech M., Chasin A., Grill A., Hellings G., Vexler M., Linten D., Grasser T.
PDF
(Eng)
1 - 17 из 17 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».